[發明專利]熱處理裝置

有效

• 申請號: 201310065999.3
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103367201A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 安陪裕滋
• 申請（專利權）人: 大日本網屏制造株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明涉及一種對基板進行熱處理的熱處理裝置，尤其涉及一種對加熱狀態的基板進行空氣冷卻的裝置。

背景技術

制造液晶顯示裝置或各種半導體器件等的工藝(process)包括所謂的光刻(photolithography)工藝，所述光刻工藝是在玻璃基板或半導體晶片等的基板的上表面涂布抗蝕液后，再將此基板以規定的圖案進行曝光，進而進行顯影。

所述光刻工藝中，為了將基板設為適合于各個步驟的溫度，而在工藝進行期間重復基板的加熱與冷卻。也就是，在進行某處理時由加熱板(hotplate)等加熱的基板，在該處理結束后提供至后段的處理時被冷卻。作為在此情況下擔負基板的冷卻的裝置，如下的熱處理裝置已為人所知，即，在框體內具備內部流通有冷卻劑而成的冷卻板，且將加熱狀態的被處理基板載置于外冷卻板上，由此對被處理基板進行冷卻(例如參照專利文獻1)。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2007-324168號公報

發明內容

發明要解決的課題

專利文獻1中公開的熱處理裝置為了提高被處理基板的表面溫度的均一性，而從供氣管向框體內供給氣體。更詳細而言，利用設置在供氣口的上端的上部的檐狀的整流板，來導引氣體?；蛘撸€公開了附設有對所述整流板供給冷卻用氣體的噴嘴的形態。

然而，專利文獻1中公開的熱處理裝置中，因必須始終借助于流通冷卻劑的冷卻板來進行冷卻，所以構成復雜。在設置冷卻用氣體用的噴嘴的情況下，所述構成更為復雜。而且，在專利文獻1公開的熱處理裝置中，因基板與冷卻板進行面接觸，所以容易引起附著在冷卻板的顆粒(particle)附著在基板上的不良情況。

而且，就液晶顯示裝置等中所使用的玻璃基板而言，通常專利文獻1中作為處理對象的所述玻璃基板比半導體晶片大，具有數十cm～數m見方的尺寸。優選在對此種大尺寸的基板進行熱處理的裝置中，除熱處理的均一性外還考慮基板的操作的便利性。

本發明鑒于所述課題而完成，目的在于提供一種既具有較為簡單的構成，且僅利用空氣冷卻便可將加熱狀態的基板有效地冷卻的熱處理裝置。

解決課題的手段

為了解決所述課題，技術方案1的發明是一種熱處理裝置，通過使環境氣體從外部流入至收容著基板的收容部而將基板冷卻，所述熱處理裝置的特征在于：收容基板的收容部包括：多個支撐銷，用以水平地支撐基板；開口部，供所述環境氣體從外部沿水平方向流入；排氣口，設置在與所述開口部相對向的位置處，且用以將所述環境氣體排出；以及流速分布賦予單元，在所述基板由所述支撐銷水平地支撐且被所述環境氣體冷卻時，使至少所述基板的下側的所述環境氣體的流動中，產生具備所述排氣口的一側的流速比于所述開口部側的流速更大的流速分布。

技術方案2的發明如技術方案1所述的熱處理裝置，其特征在于：所述流速分布賦予單元通過使具備所述排氣口的一側的所述基板與所述收容部的距離比所述開口部側的所述基板與所述收容部的距離窄，而產生所述流速分布。

技術方案3的發明如技術方案2所述的熱處理裝置，其特征在于：所述流速分布賦予單元為在所述收容部的底部的具備所述排氣口的一側與所述開口部側設置的階差。

技術方案4的發明如技術方案3所述的熱處理裝置，其特征在于：所述階差的形成位置與所述開口部的距離為所述開口部與具備所述排氣口的位置的距離的1/4以上3/4以下。

技術方案5的發明是一種熱處理裝置，利用基板與周圍的環境氣體的溫度差而將所述基板冷卻，所述熱處理裝置的特征在于：具有由如下各部包圍的熱處理空間：底部，由水平地支撐基板的多個支撐銷突出而成；側部，與所述底部垂直；頂面部，與所述底部相對向；以及內端部，與所述底部、所述側部、及所述頂面部垂直，所述內端部包括用以將環境氣體從所述熱處理空間排出的排氣口，所述熱處理裝置還包括流速分布賦予單元，所述流速分布賦予單元為了對由所述支撐銷水平地支撐的所述基板進行冷卻，而從所述排氣口排出所述環境氣體，由此，當使新的所述環境氣體流入至所述熱處理空間時，至少在所述基板的下側，產生具備所述排氣口的一側的所述環境氣體的流速比于所述熱處理空間的開口部側的流速更大的流速分布。

技術方案6的發明如技術方案5所述的熱處理裝置，其特征在于：所述流速分布賦予單元通過使具備所述排氣口的一側的所述基板與所述底部的距離比所述開口部側的所述基板與所述底部的距離窄，而產生所述流速分布。