[發明專利]熱處理裝置有效
| 申請號: | 201310065999.3 | 申請日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN103367201A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 安陪裕滋 | 申請(專利權)人: | 大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本京都市上京區堀川*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
1.一種熱處理裝置,通過使環境氣體從外部流入至收容著基板的收容部而將所述基板冷卻,所述熱處理裝置的特征在于:
收容所述基板的所述收容部包括:
多個支撐銷,用以水平地支撐所述基板;
開口部,供所述環境氣體從外部沿水平方向流入;
排氣口,設置在與所述開口部相對向的位置處,且用以將所述環境氣體排出;以及
流速分布賦予單元,在所述基板由所述支撐銷水平地支撐且被所述環境氣體冷卻時,使至少所述基板的下側的所述環境氣體的流動中,產生具備所述排氣口的一側的流速比于所述開口部側的流速更大的流速分布。
2.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于:所述流速分布賦予單元通過使具備所述排氣口的一側的所述基板與所述收容部的距離比所述開口部側的所述基板與所述收容部的距離窄,而產生所述流速分布。
3.根據權利要求2所述的熱處理裝置,其特征在于:所述流速分布賦予單元為在所述收容部的底部的具備所述排氣口的一側與所述開口部側設置的階差。
4.根據權利要求3所述的熱處理裝置,其特征在于:所述階差的形成位置與所述開口部的距離為所述開口部與具備所述排氣口的位置的距離的1/4以上3/4以下。
5.一種熱處理裝置,利用基板與周圍的環境氣體的溫度差而將所述基板冷卻,所述熱處理裝置的特征在于:
具有由如下各部所包圍的熱處理空間:
底部,由水平地支撐所述基板的多個支撐銷突出而成;
側部,與所述底部垂直;
頂面部,與所述底部相對向;以及
內端部,與所述底部、所述側部、及所述頂面部垂直,
所述內端部包括用以將環境氣體從所述熱處理空間排出的排氣口,
所述熱處理裝置還包括流速分布賦予單元,所述流速分布賦予單元為了對由所述支撐銷水平地支撐的所述基板進行冷卻,而從所述排氣口排出所述環境氣體,由此,當使新的所述環境氣體流入至所述熱處理空間時,至少在所述基板的下側,產生具備所述排氣口的一側的所述環境氣體的流速比于所述熱處理空間的開口部側的流速更大的流速分布。
6.根據權利要求5所述的熱處理裝置,其特征在于:所述流速分布賦予單元通過使具備所述排氣口的一側的所述基板與所述底部的距離比所述開口部側的所述基板與所述底部的距離窄,而產生所述流速分布。
7.根據權利要求6所述的熱處理裝置,其特征在于:所述流速分布賦予單元為在所述底部的具備所述排氣口的一側與所述開口部側設置的階差。
8.根據權利要求7所述的熱處理裝置,其特征在于:所述階差的形成位置與所述開口部的距離為所述開口部與所述內端部的距離的1/4以上3/4以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





