[發明專利]一種鍍鈀鍍銀的雙鍍層鍵合銅絲的制造方法無效
| 申請號: | 201310065261.7 | 申請日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN103219246A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 呂燕翔;居勤坤;史仁龍;萬傳友;彭芳美;周國忠 | 申請(專利權)人: | 溧陽市虹翔機械制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;C25D5/10;C25D7/06 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 朱戈勝 |
| 地址: | 213351 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鍍銀 鍍層 銅絲 制造 方法 | ||
1.一種雙鍍層鍵合銅絲的制造方法,該方法以先后次序依次包括如下步驟:
(1)在高純銅中加入微量金屬元素錫、鎂和鋁,以制得銅芯;
(2)在所述銅芯的表面上電鍍金屬鈀,已形成鍍鈀導電層;
(3)在鍍鈀導電層的表面上電鍍金屬銀,以形成鍍銀導電層;
(4)對完成鍍鈀和鍍銀后的銅絲進行清洗,以形成具有鍍鈀導電層和鍍銀導電層的雙鍍層鍵合銅絲。
2.一種雙鍍層鍵合銅絲的制造方法,該方法以先后次序依次包括如下步驟:
(1)以最終制得的含有鍍鈀層和鍍銀層的雙鍍層鍵合銅絲為100重量份計,即100wt%計,將91.2~92.8wt%的純度大于99.9995%的高純銅置入熔煉爐熔化,并加入0.5wt%的錫、0.3wt%的鎂、0.2wt%的鋁,經過單晶熔煉拉伸成銅芯,銅芯的直徑大約為8mm,并且該銅芯的縱向和橫向晶粒數均為1個;?
(2)將所述銅芯進行粗拔以制得直徑大約為3-4mm的銅絲后,對所述銅絲進行退火,退火溫度大約為450-500攝氏度,退火時間大約為20-60分鐘,退火后進行水冷;
(3)電鍍純鈀導電層:在退火后銅芯表面上電鍍3.3~4.2wt%的純鈀,以形成純鈀導電層,所述純鈀的純度大于99.99%;
(4)第一次精拔:將完成步驟(3)的電鍍有純鈀導電層的銅絲,精拔成直徑大約為1-2mm的鍍鈀銅絲;
(5)第一次熱退火:對完成步驟(4)的鍍鈀銅絲進行熱退火,其中熱退火溫度大約為450-500攝氏度,時間大約為20-60分鐘;
(6)電鍍純銀導電層:在鍍鈀銅絲的表面上電鍍2~4.5wt%的純銀,以形成純銀導電層,所述純銀的純度大于99.99%;
(7)第二次精拔:將完成步驟(5)的銅絲精拔成直徑大約為15-25微米的雙鍍層鍵合銅絲;
(8)第二次熱退火:對完成步驟(6)的雙鍍層鍵合銅絲進行熱退火,其中熱退火溫度大約為450-500攝氏度,時間大約為20-60分鐘;
(9)清洗:對完成步驟(7)的雙鍍層鍵合銅絲進行表面清洗,采用酸性溶液先對其進行一次清洗,然后采用去離子水進行二次清洗;
(10)將清洗干凈的鍍銀鍵合銅絲烘干;
其中,步驟(4)中優選的直徑大小為1.5mm,步驟(5)和(8)中優選的熱退火溫度大約為480攝氏度,時間大約為30分鐘。
3.如權利要求2所述的雙鍍層鍵合銅絲,其特征在于:
所述高純銅的純度大于99.9995%,以所述雙鍍層鍵合銅絲為100重量份,即100wt%計,其中銅芯中純銅的含量為91.2~92.8wt%,微量元素總體含量為1wt%,純鈀導電層的含量為3.3~4.2wt%,純銀導電層的含量為2~4.5wt%。
4.如權利要求2-3任意之一所述的雙鍍層鍵合銅絲,其特征在于:
所述微量金屬元素的總含量為1wt%,包括0.5wt%的錫、0.3wt%的鎂以及0.2wt%的鋁。
5.如權利要求2-4任意之一所述的雙鍍層鍵合銅絲,其特征在于:
所述純鈀的純度大于99.99%,所述純銀的純度大于99.99%。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





