[發(fā)明專利]一種砷化鎵基激光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310064564.7
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103166110A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 童小春
• 申請（專利權(quán)）人: 溧陽市宏達(dá)電機(jī)有限公司
• 主分類號: H01S5/327
• 分類號: H01S5/327;H01S5/042
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種采用鎂砷共摻雜p型氧化鋅薄膜的激光二極管，該激光二極管的結(jié)構(gòu)為：

n型氧化鎳薄膜，其形成在砷化鎵襯底的上表面上；鎂砷共摻雜p型氧化鋅薄膜，其形成在所述n型氧化鎳薄膜的上表面上，以及底電極，其形成在所述n型氧化鎳薄膜下表面上，頂電極，其形成在所述鎂砷共摻雜p型氧化鋅薄膜的上表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的激光二極管，其特征在于：

其中，所述鎂砷共摻雜p型氧化鋅薄膜的厚度約為200-300nm，該鎂砷共摻雜p型氧化鋅薄膜中Mg的摩爾百分含量是8-13％，砷的摩爾百分含量是0.5-1.5％；所述n型氧化鎳薄膜的厚度為約200-300nm。

3.如權(quán)利要求1或2所述的激光二極管，其特征在于：

其中，在常溫下，鎂砷共摻雜的p型ZnO晶體薄膜的壓電常數(shù)d₃₃大于18pC/N，其電阻率大于10¹⁰Ω·cm。

4.如權(quán)利要求1-3任意之一所述的激光二極管，其特征在于：

可以采用多種金屬材料來構(gòu)成底電極和頂電極的材料，例如金、銀或銅，也可以采用金屬化合物材料來構(gòu)成所述底電極和頂電極，例如ITO。