[發明專利]多層陶瓷電容器、電路板的安裝結構以及封裝單元

有效

• 申請號: 201310064463.X
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103811171B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 安永圭;樸珉哲;金兌奕;樸祥秀
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G2/06
• 分類號: H01G2/06;H01G4/002;H01G4/12;H01G4/224;H01G4/30;H01G4/38;H05K1/18
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司11283
• 代理人: 施娥娟,桑傳標

1.一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括：

陶瓷本體，該陶瓷本體內層壓有多個電介質層；

工作層，該工作層包括多個第一內電極和第二內電極，所述第一內電極和第二內電極之間插入單個所述電介質層以形成電容，所述第一內電極和所述第二內電極穿過所述陶瓷本體的各個端表面交替地暴露；

上覆蓋層，該上覆蓋層形成在所述工作層的上方；

下覆蓋層，該下覆蓋層形成在所述工作層的下方，并且所述下覆蓋層比所述上覆蓋層厚；

偽電極，該偽電極形成在所述上覆蓋層和所述下覆蓋層中的至少一者內，以使所述偽電極通過所述陶瓷本體的頂表面或底表面可見，并且所述偽電極不形成電容，以及

第一外電極和第二外電極，所述第一外電極和所述第二外電極覆蓋所述陶瓷本體的兩個端表面，

其中，當A定義為所述陶瓷本體的總厚度的1/2、B定義為所述下覆蓋層的厚度、C定義為所述工作層的總厚度的1/2并且D定義為所述上覆蓋層的厚度時，

所述工作層的中心與所述陶瓷本體的中心之間的偏離比值（B+C）/A滿足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述上覆蓋層的厚度（D）與所述下覆蓋層的厚度（B）的比值D/B滿足0.021≤D/B≤0.422。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述下覆蓋層的厚度（B）與所述陶瓷本體的總厚度的1/2（A）的比值B/A滿足0.329≤B/A≤1.522。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述工作層的總厚度的1/2（C）與所述下覆蓋層的厚度（B）的比值C/B滿足0.146≤C/B≤2.458。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述上覆蓋層的未形成所述偽電極的端部的厚度為4μm到30μm。

6.根據權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極形成為鄰近所述陶瓷本體的頂表面。

7.根據權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極通過使用與設置在所述工作層的最上部中的內電極具有相同方向性的內電極形成。

8.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述下覆蓋層的未形成所述偽電極的端部的厚度為4μm到30μm。

9.根據權利要求8所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極形成為鄰近所述陶瓷本體的底表面。

10.根據權利要求8所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極通過使用與設置在所述工作層的最下部中的內電極具有相同方向性的內電極形成。

11.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極形成在所述上覆蓋層和所述下覆蓋層的每一個內，并且形成在所述上覆蓋層內的所述偽電極和形成在所述下覆蓋層內的所述偽電極具有不同形狀。

12.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極包括第一偽電極和第二偽電極，所述第一偽電極通過所述上覆蓋層或所述下覆蓋層的一個端表面暴露，所述第二偽電極通過所述上覆蓋層或所述下覆蓋層的另一個端表面暴露，所述第一偽電極和第二偽電極在相同的水平面內具有間隔地彼此相對。

13.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極與所述上覆蓋層或所述下覆蓋層的兩個端表面間隔開。

14.根據權利要求13所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極具有的長度使得所述偽電極沿所述陶瓷本體的厚度方向能夠部分地與所述第一外電極和第二外電極的覆蓋所述陶瓷本體頂表面和底表面的至少一部分的部分重疊。

15.根據權利要求13所述的多層陶瓷電容器，其中，所述偽電極具有的長度使得所述偽電極沿所述陶瓷本體的厚度方向能夠不與所述第一外電極和第二外電極的覆蓋所述陶瓷本體頂表面和底表面的至少一部分的部分重疊。

16.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器還包括形成在所述下覆蓋層的一部分內的偽電極，該形成在所述下覆蓋層的一部分內的偽電極接近所述工作層的下端，并且不形成電容。