[發(fā)明專利]一類恩替卡韋的中間體的制備方法,以及中間體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310062883.4 | 申請日: | 2013-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN104017016B | 公開(公告)日: | 2017-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡俊斌;陳清泉;施邢俊;應(yīng)律 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江星月藥物科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C07F7/10 | 分類號: | C07F7/10;C07F7/08;C07D473/18 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務(wù)所31283 | 代理人: | 薛琦,王衛(wèi)彬 |
| 地址: | 314200 浙江省嘉興市平*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一類 恩替卡韋 中間體 制備 方法 以及 | ||
1.一種如式IV或IV’所示的恩替卡韋的中間體的制備方法,其特征在于包含下列步驟:溶劑中,在質(zhì)子酸的作用下,將化合物V進(jìn)行如下所示的脫去氨基保護(hù)基和羥基保護(hù)基的反應(yīng),即可;
其中,Ra為C1~C4的直鏈烷基;Rb表示苯環(huán)上的一個或多個選自鹵原子、甲氧基或者甲基的取代基或H;Rc為甲基;R2為如下所示的取代基:
其中,R21為取代或未取代的吡啶基、或者取代或未取代的C6~C10芳基,所述的取代的吡啶基中的取代基為C1~C3烷基、鹵素和C1~C3烷氧基中的一種或多種,每類取代基的數(shù)目為一個或多個;所述的取代的C6~C10芳基中的取代基為C1~C3烷基、鹵素和C1~C3烷氧基中的一種或多種,每類取代基的數(shù)目為一個或多個;
Y為連接或不連接其他取代基的3~9個碳,從而與Si形成取代或未取代的4~10元的飽和或不飽和的硅碳環(huán);或者,Y為連接或不連接其他取代基的,總數(shù)為3~9個的碳原子和雜原子,從而與Si形成取代或未取代的4~10元的飽和或不飽和的碳硅雜環(huán),所述雜原子為O、S或N,雜原子的數(shù)目為1~3個;所述的取代中的取代基為C1~C3烷基;所述的硅碳環(huán)或碳硅雜環(huán)為一個環(huán)或者并在一起的兩個環(huán)。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:當(dāng)Ra為C1~C4的直鏈烷基時,所述的C1~C4的直鏈烷基為甲基。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述的R2為如下任一取代基:
取代基IVa中,n為0~2,p為0~2,q為1~2,X和Y獨(dú)立的為碳、氧或氮,R4為C1~C3烷基,且R4為一個或多個取代基;當(dāng)n為0時,X為碳,當(dāng)p為0時,Y為碳。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于:所述的取代基IVa為如下任一取代基:
5.如權(quán)利要求1、3或4所述的制備方法,其特征在于:
所述的R21為如下任一取代基:
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述的溶劑為有機(jī)溶劑、水或它們的混合物,其中所述的有機(jī)溶劑為二氯甲烷、甲醇、乙醇、異丙醇、叔丁醇、四氫呋喃、乙腈、DMF和二甲基亞砜中的一種或多種;所述的質(zhì)子酸為鹽酸、硫酸、硝酸、三氟乙酸和甲磺酸中的一種或多種;質(zhì)子酸與化合物V的摩爾比為0.1~100;所述的反應(yīng)的溫度為0~100℃。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于:質(zhì)子酸與化合物V的摩爾比為1~20;所述的反應(yīng)的溫度為20~80℃。
8.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:通過下述方法制備所述化合物V,再制備化合物IV:
惰性氣體保護(hù)下,有機(jī)溶劑中,在四溴化鈦或四氯化鈦的作用下,將化合物VI和納斯特試劑進(jìn)行亞甲基化反應(yīng),即可;
其中,Ra、Rb、Rc和R2的定義同權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)中所述。
9.如權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于:所述的亞甲基化反應(yīng)中:所述的有機(jī)溶劑為四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、乙醚和叔丁基甲醚中的一種或多種;所述的納斯特試劑與化合物VI的摩爾比為0.5~10;所述的四溴化鈦或四氯化鈦與化合物VI的摩爾比為0.1~10;所述的亞甲基化反應(yīng)的溫度為-78~50℃。
10.如式V或VI所示的恩替卡韋的中間體化合物;或者如式IV所示的恩替卡韋的中間體化合物或其互變異構(gòu)體IV’:
其中,Ra、Rb、Rc和R2的定義同權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)中所述。
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