[發明專利]實現淺溝槽隔離的工藝方法有效
| 申請號： | 201310062525.3 | 申請日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN103137543A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發明（設計）人： | 白英英;張守龍;張冬芳;陳玉文 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 實現 溝槽 隔離 工藝 方法 | ||
1.一種實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，包括：
提供硅襯底；
對所述硅襯底進行曝光和刻蝕處理，形成第一淺溝槽隔離凹槽；
在第一淺溝槽隔離凹槽以外的硅襯底上生長第一SiN層；
往所述第一淺溝槽隔離凹槽中填充隔離材料；
濕法工藝去除所述第一SiN層；
在上述器件表面生長氧化層；
在所述氧化層上生長第二SiN層；
在上述器件上形成第二淺溝槽隔離凹槽，所述第二淺溝槽隔離凹槽與所述第一淺溝槽隔離凹槽相互對準；
往所述第二淺溝槽隔離凹槽中填充隔離材料。
2.如權利要求1所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，在對所述硅襯底進行曝光和刻蝕處理之前，在所述硅襯底表面形成一SiO2層。
3.如權利要求2所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，對所述硅襯底表面氧化處理形成所述SiO2層。
4.如權利要求1所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，往所述第一淺溝槽隔離凹槽中填充隔離材料步驟包括：采用CVD工藝將隔離材料填充到所述第一淺溝槽隔離凹槽，并采用CMP工藝去除所述第一SiN層表面多余的隔離材料。
5.如權利要求4所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，采用CMP工藝去除所述第一SiN層表面多余的隔離材料后，還需要清洗硅襯底以去除硅襯底表面殘留的隔離材料。
6.如權利要求1所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，所述第一SiN層的厚度為5nm~25nm。
7.如權利要求1所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，在上述器件上形成第二淺溝槽隔離凹槽步驟包括：
采用刻蝕和曝光工藝在氧化層和第二SiN層上形成第二淺溝槽隔離凹槽；
濕法工藝擴大所述第二淺溝槽隔離凹槽的寬度。
8.如權利要求1所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，往所述第二淺溝槽隔離凹槽中填充隔離材料步驟包括：采用CVD將隔離材料填充到所述第二淺溝槽隔離凹槽，并采用CMP工藝去除所述第二SiN層表面多余的隔離材料。
9.如權利要求1所述的實現淺溝槽隔離的工藝方法，其特征在于，所述氧化層采用SiO2。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
