[發明專利]二氧化硅標準晶片及其制造方法

有效

• 申請號: 201310062476.3
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN103175495A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 李杰;王智;蘇俊銘;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01B21/08
• 分類號: G01B21/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域，特別涉及一種二氧化硅標準晶片及其制造方法。

背景技術

隨著半導體工藝的發展，工藝尺寸不斷下降。相應的，在集成電路中作為介質層的二氧化硅厚度也在不斷減小。隨著二氧化硅厚度的下降，為了保持二氧化硅厚度的穩定性，對二氧化硅的標準晶片測量的精確性和穩定性提出了更高的要求。

通常，二氧化硅標準晶片是在襯底上形成標準厚度的二氧化硅。在測量機臺測量產品的二氧化硅的薄膜厚度前，先測量所述二氧化硅標準晶片的二氧化硅的厚度，如果測量結果在規定的范圍內，則判斷測量機臺的準確性符合要求，可以繼續對產品的二氧化硅薄膜進行厚度測量；如果測量結果超出規定的范圍，則判斷測量機臺的準確性不符合要求，需要重新校正測量機臺，直至測量機臺的測量結果落入規定的范圍，才能繼續對產品的二氧化硅薄膜進行厚度測量。如果二氧化硅標準晶片的二氧化硅的厚度發生了變化，這樣即使測量機臺是穩定的，其測量出的二氧化硅的厚度會與標準厚度發生一定的偏差。也就是說，采用二氧化硅標準晶片確定測量機臺的精確性和穩定性的前提是，二氧化硅標準晶片的二氧化硅的厚度是固定的。

如圖1所示，二氧化硅標準晶片100包括晶圓101和形成與所述晶圓101上的標準厚度的二氧化硅102。通常，二氧化硅標準晶片100長期放置于空氣中，二氧化硅102的表面會吸附水汽和其它空氣中污染物，另外還會因為自然的氧化反應在其表面形成一層自然氧化層。因此，測量機臺測量上述長期放置后的二氧化硅標準晶片100的二氧化硅102厚度的結果會超出規定范圍，通常其測量厚度的結果會比標準厚度大。但是，對于操作者來說，無法判定上述偏差是否是由于測量機臺的不穩定而造成的，因此會給操作者造成很多困擾。

因此，有必要開發一種二氧化硅標準晶片，使其二氧化硅的厚度保持不變。

發明內容

本發明的目的在于提供一種二氧化硅標準晶片及其制造方法，以解決現有的二氧化硅標準晶片的二氧化硅的厚度持續變化的現象，從而導致測量機臺測量結果不穩定的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種二氧化硅標準晶片，包括：晶圓、形成于所述晶圓上的標準厚度的二氧化硅層以及形成于所述二氧化硅層上的鈍化層。

可選的，在所述二氧化硅標準晶片上，鈍化層為多晶硅或者氮化硅。

可選的，在所述二氧化硅標準晶片上，所述鈍化層的厚度大于等于

可選的，在所述二氧化硅標準晶片上，所述鈍化層的厚度為

可選的，在所述二氧化硅標準晶片上，二氧化硅層的厚度小于

相應的，本發明還提供一種二氧化硅標準晶片的制造方法，包括：

步驟一：提供一晶圓；

步驟二：在所述晶圓上形成標準厚度的二氧化硅層；

步驟三：在所述二氧化硅層上形成鈍化層。

可選的，在所述二氧化硅標準晶片的制造方法中，在所述步驟三中，采用LPCVD方法在所述二氧化硅層上沉積多晶硅作為所述鈍化層。

可選的，在所述二氧化硅標準晶片的制造方法中，所述步驟三包括：

采用LPCVD方法在所述二氧化硅層上沉積多晶硅；以及

對所述多晶硅進行退火處理，以形成所述鈍化層。

可選的，在所述二氧化硅標準晶片的制造方法中，所述退火處理的溫度為700℃～800℃，時間為30分鐘～45分鐘。

可選的，在所述二氧化硅標準晶片的制造方法中，在所述步驟三中，采用LPCVD方法在所述二氧化硅層上沉積氮化硅作為所述鈍化層。

可選的，在所述二氧化硅標準晶片的制造方法中，所述鈍化層的厚度大于等于

可選的，在所述二氧化硅標準晶片的制造方法中，所述鈍化層的厚度

可選的，在所述二氧化硅標準晶片的制造方法中，二氧化硅層的厚度小于

在本發明提供的二氧化硅標準晶片上，在所述二氧化硅層上還包括鈍化層。鈍化層可以將所述二氧化硅層與外界環境隔離開，因為有鈍化層的保護二氧化硅層表面不會吸附水汽或者其他空氣中的污染物，同時也不會存在表面被自然氧化的問題，從而使的二氧化硅層厚度保持固定不變。因此，測量機臺在測量上述二氧化硅標準晶片時，因為二氧化硅層厚度是保持固定不變的，因此當測量結果超出規定范圍時，即可判斷所述測量機臺的準確性出現問題，需要重新校正測量機臺的測量系統。

附圖說明

圖1是現有的二氧化硅標準晶片的結構示意圖；

圖2為本發明一實施例的二氧化硅標準晶片的結構示意圖；