[發(fā)明專利]二氧化硅標準晶片及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310062476.3 | 申請日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN103175495A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李杰;王智;蘇俊銘;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01B21/08 | 分類號： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二氧化硅 標準 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一種二氧化硅標準晶片，包括：晶圓和形成于所述晶圓上的標準厚度的二氧化硅層，其特征在于，還包括形成于所述二氧化硅層上的鈍化層。
2.如權利要求1所述的二氧化硅標準晶片，其特征在于，鈍化層為多晶硅或者氮化硅。
3.如權利要求1所述的二氧化硅標準晶片，其特征在于，所述鈍化層的厚度大于等于
4.如權利要求3所述的二氧化硅標準晶片，其特征在于，所述鈍化層的厚度為
5.如權利要求1所述的二氧化硅標準晶片，其特征在于，二氧化硅層的厚度小于
6.一種二氧化硅標準晶片的制造方法，包括：
步驟一：提供一晶圓；
步驟二：在所述晶圓上形成標準厚度的二氧化硅層；
步驟三：在所述二氧化硅層上形成鈍化層。
7.如權利要求6所述的二氧化硅標準晶片的制造方法，其特征在于，在所述步驟三中，采用LPCVD方法在所述二氧化硅層上沉積多晶硅作為所述鈍化層。
8.如權利要求6所述的二氧化硅標準晶片的制造方法，其特征在于，所述步驟三包括：
采用LPCVD方法在所述二氧化硅層上沉積多晶硅；以及
對所述多晶硅進行退火處理，以形成所述鈍化層。
9.如權利要求8所述的二氧化硅標準晶片的制造方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為700℃～800℃，時間為30分鐘～45分鐘。
10.如權利要求6所述的二氧化硅標準晶片的制造方法，其特征在于，在所述步驟三中，采用LPCVD方法在所述二氧化硅層上沉積氮化硅作為所述鈍化層。
11.如權利要求6所述的二氧化硅標準晶片的制造方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度大于等于
12.如權利要求11所述的二氧化硅標準晶片的制造方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度
13.如權利要求6所述的二氧化硅標準晶片的制造方法，其特征在于，二氧化硅層的厚度小于
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