[發(fā)明專利]一種霍山石斛的快速繁殖方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310061665.9 | 申請日： | 2013-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN104012401A | 公開（公告）日： | 2014-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 毛健;姬中偉;張敏;牟穰;陽志銳;郭燕飛;黎衛(wèi);馮東陽;鞏丹;劉蕓雅 | 申請（專利權(quán)）人： | 江南大學(xué) |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214122 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 霍山 石斛 快速 繁殖 方法 | ||
1.一種霍山石斛的快速繁殖方法，其特征在于取石斛果實(shí)內(nèi)種子或莖尖或帶腋芽的幼莖，果在純乙醇中浸一下，然后在酒精燈火焰上燃燒，然后用于接種；莖尖或幼莖經(jīng)清水沖洗后，分別用75％酒精、0.2％氯化汞(升汞)溶液進(jìn)行表面消毒，無菌水沖洗3-4次，置于滅菌后的濾紙上吸干水分，于無菌條件下，將莖段剪成0.5-1.5cm的帶節(jié)小段，接種在培養(yǎng)基中，待種子萌發(fā)或莖尖和幼莖長成擬原球莖，進(jìn)行繼代培養(yǎng)大量增殖，然后將原球莖放在分化芽的培養(yǎng)基上，待芽條高2-3cm時(shí)轉(zhuǎn)入生根培養(yǎng)基，待試管苗具4-5片伸展葉，根系正常，高度達(dá)6cm及以上時(shí)，出瓶移栽。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于取野外采集或雜交授粉所結(jié)的果實(shí)，完整的果實(shí)在酒精燈燃燒滅菌后，在無菌條件下將果皮打開，將種子播種在花寶1號((N∶P∶K＝7∶6∶19)3g/L的瓊脂培養(yǎng)基上；開裂果，用尼龍布包裹散落種子，在0.2％HgCl2中消毒6-8min，無菌水沖洗干凈后播種在花寶1號(N∶P∶K＝7∶6∶19)3g/L的瓊脂培養(yǎng)基上；未成熟的果內(nèi)種子可播種在花寶1號3g/L+NAA1mg/L的瓊脂培養(yǎng)基上，培養(yǎng)室溫度25±2℃，光照強(qiáng)度為1500-2000Lx，光照12h/d，培養(yǎng)基PH為5，培養(yǎng)8-12天種子由黃色轉(zhuǎn)綠，呈球形增大，基部有絲狀毛的原球莖，繼代培養(yǎng)在1/2MS+NAA1+土豆泥3％+香蕉泥15％的瓊脂培養(yǎng)基上，30天后，分化出1cm小芽和0.5cm叢芽，又經(jīng)過1-2個(gè)月的培養(yǎng)可得到高約2-3cm芽條，轉(zhuǎn)入1/2MS+NAA1+土豆泥3％+香蕉泥15％的生根壯苗培養(yǎng)基培養(yǎng)1個(gè)月后加強(qiáng)光照至4000Lx培養(yǎng)一個(gè)月，當(dāng)試管苗具4-S片伸展葉，根系正常，高度達(dá)6cm時(shí)，即可出瓶供移栽，出瓶時(shí)清除根系上的瓊脂，3-5株一叢種植，種植基質(zhì)有鋸末、樹皮、苔鮮和陶粒等，基質(zhì)要用20∶1的水∶甲醛密封消毒24h或用熱蒸汽消毒，栽后放在蔭蔽度70％大棚內(nèi)，棚內(nèi)溫度控制在20℃-28℃，注意保濕和排水，8-16天用1/1OMS液噴施一次，待試管苗長出新根或新葉后便可定植。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于將野外采集到的石斛莖尖或帶腋芽的幼莖切段滅菌后接種在1/2MS+NAA1mg/L+土豆泥3％+香蕉泥15％的瓊脂培養(yǎng)基上，培養(yǎng)室溫度保持為25±2℃，光照強(qiáng)度為1500-2000Lx，光照12h/d，培養(yǎng)基PH為5，培養(yǎng)30-60天，腋芽處可抽生新枝，新枝可切割重復(fù)培養(yǎng)，莖尖抽生新枝短呈叢芽狀，在上述培養(yǎng)基上繼續(xù)培養(yǎng)，長成完整試管苗供移栽；也可接種在1/2MS或1/2MS+BA0.5+NAA0.2的瓊脂培養(yǎng)基上，外植體基部可分化出大量擬原球莖，擬原球莖在1/2MS+NAA1+土豆泥3％+香蕉泥15％的瓊脂培養(yǎng)基上培養(yǎng)30天后，分化出1cm小芽和0.5cm叢芽，又經(jīng)過1-2個(gè)月的培養(yǎng)可得到高2-3cm芽條，再轉(zhuǎn)入1/2MS+NAA1+土豆泥3％+香蕉泥15％的生根壯苗培養(yǎng)基培養(yǎng)1個(gè)月，此時(shí)光照加強(qiáng)至4000Lx，當(dāng)試管苗具4-5片伸展葉，根系正常，高度達(dá)6em時(shí)，即可出瓶供移栽，出瓶時(shí)清除根系上的瓊脂，3-5株一叢種植，種植基質(zhì)有鋸末、樹皮、苔醉和陶粒等，基質(zhì)要用20∶1的水∶甲醛密封消毒24h或用熱蒸汽消毒，栽后放在大棚內(nèi)蔭蔽度70％，棚內(nèi)溫度控制在20℃-28℃，注意保濕和排水，8-16天用1/10MS液噴施一次。
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