[發(fā)明專利]光感測元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310061021.X
• 申請日: 2008-11-06
• 公開（公告）號: CN103151417A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設計）人: 陳信學;劉婉懿;彭佳添;許宗義;曾任培
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張龍哺

本申請是申請?zhí)枮?00810170472.6、申請日為2008年11月06日、發(fā)明名稱為“光感測元件及其製作方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術領域

本發(fā)明是涉及一種光感測元件，且特別涉及一種環(huán)境光感測器(Ambient?Light?Sensor，ALS)。

背景技術

在公知技術中，在TFT-LCD顯示面板上制作環(huán)境光感測器(Ambient?Light?Sensor，ALS)時，由于非晶硅(α-Si)或多晶硅(poly-Si)薄膜對可見光(400納米～700納米)和近紅外光(700納米～1.1微米)的間波段的光線，具有較強烈的敏感度，因此通常以非晶硅或多晶硅薄膜來作為制作環(huán)境光感測器的基本材料，但由于非晶硅或多晶硅薄膜的光靈敏度仍無法滿足需求，因此逐漸被新的材料所取代。

新一代光感測器具有更高的光靈敏度，其中以富硅氧化層(Si-rich?oxide，SiO_X，x<2)作為感光材料層為例，當光源對其照射之后，富硅氧化層會受激發(fā)而產生電子空穴對，電子空穴對隨即受到偏壓所產生的電場作用而分離，并因此形成光電流輸出。

然而，以低溫沉積的薄膜制造工藝技術來沉積富硅氧化層，并借此制作具富硅氧化層的光感測器時，如果以一定照度的光線照射光感測器，接著再測量光感測器所呈現(xiàn)的相對應的光電流，其輸出的光電流通常無法與光線的照度呈現(xiàn)線性關系，因此會造成使用上會有很大的誤差，而無法精確地加以利用。

發(fā)明內容

為克服現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明的目的是在提供一種光感測元件，借以改善其中光電流與光線照度無法呈現(xiàn)線性關系的問題。

本發(fā)明的另一目的是在提供一種光感測元件的制作方法，以增進光感測元件的品質。

本發(fā)明的一目的在于提供一種光感測元件，包含一金屬導電層、一界面介電層、一富硅介電層以及一透明導電層。界面介電層形成于金屬導電層上，該界面介電層的厚度為10至300埃，富硅介電層形成于界面介電層上，而透明導電層則是形成于富硅介電層上。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種光感測元件，包含一鈦-鋁-鈦金屬層、一界面氧化層、一富硅介電層以及一透明導電層。界面氧化層形成于鈦-鋁-鈦金屬層上且該界面氧化層的厚度為10至300埃，富硅介電層形成于界面氧化層上，而透明導電層則是形成于富硅介電層上。

本發(fā)明的又一目的在于提供一種光感測元件，包含一導電層、一界面介電層、一富硅介電層以及一透明導電層。界面介電層形成于導電層上且該界面介電層的厚度為10至300埃，富硅介電層形成于界面介電層上，而透明導電層則是形成于富硅介電層上。

本發(fā)明的再一目的在于提供一種光感測元件的制作方法，包含：形成一金屬導電層；形成一界面介電層于金屬導電層上，其中該界面介電層的厚度為10至300埃；形成一富硅介電層于界面介電層上；以及形成一透明導電層于富硅介電層上。

本發(fā)明的再一目的在于提供一種光感測元件的制作方法，包含：形成一鈦-鋁-鈦金屬層；形成一界面氧化層于鈦-鋁-鈦金屬層上，其中該界面氧化層的厚度為10至300埃；形成一富硅介電層于界面氧化層上；以及形成一透明導電層于富硅介電層上。

根據本發(fā)明的技術內容，應用上述光感測元件以及光感測元件的制作方法，可使得光感測元件在操作時，其中的光電流與光線照度呈現(xiàn)良好的線性關系，并且使光感測元件可更精準地根據光線的照度產生相對應的光電流。

附圖說明

圖1依照本發(fā)明的實施例示出一種光感測元件的剖面示意圖。

圖2A至圖2E依照本發(fā)明的實施例示出一種制作如圖1所示的光感測元件的流程圖。

圖3依照示出一種具上述界面介電層的環(huán)境光感測器，其經測量而得的光電流與光強度的相應對照圖。

圖4依照本發(fā)明的實施例示出一種像素結構與光感測元件整合的結構的剖面示意圖；

并且，上述附圖中的附圖標記說明如下：

100、420：光感測元件

102：基板

104、404：金屬導電層

106、406：界面介電層

108、408：富硅介電層

110、410：透明導電層

430：像素結構

具體實施方式