[發明專利]光感測元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201310061021.X
• 申請日: 2008-11-06
• 公開（公告）號: CN103151417A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 陳信學;劉婉懿;彭佳添;許宗義;曾任培
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張龍哺

1.一種光感測元件，包含：

一金屬導電層，該金屬導電層包含鈦-鋁-鈦金屬；

一界面介電層，形成于該金屬導電層上，該界面介電層的材料選自金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及其組合所組成的群組，該界面介電層的厚度為10至300埃，其中該界面介電層包含對該金屬導電層進行一等離子體表面改質處理工藝而形成；

一富硅介電層，形成于該界面介電層上，用于感測光線而產生光電流，該富硅介電層的材料選自富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組，或者選自氫化富硅氧化硅、氫化富硅氮化硅、氫化富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組；以及

一透明導電層，形成于該富硅介電層上。

2.如權利要求1所述的光感測元件，其中該透明導電層的材料包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

3.如權利要求1所述的光感測元件，其中該界面介電層選自氧化鈦、氮化鈦、氮氧化鈦及其組合所組成的群組。

4.一種光感測元件，包含：

一鈦-鋁-鈦金屬層，至少具有一鈦金屬；

一界面氧化層，形成于該鈦-鋁-鈦金屬層上，該界面氧化層的材料選自該鈦金屬與所形成的金屬氧化物、金屬氮氧化物及其組合所組成的群組，該界面氧化層的厚度為10至300埃；

一富硅介電層，形成于該界面氧化層上，用于感測光線而產生光電流，該富硅介電層的材料選自富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組，或者選自氫化富硅氧化硅、氫化富硅氮化硅、氫化富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組；以及

一透明導電層，形成于該富硅介電層上。

5.如權利要求4所述的光感測元件，其中該界面氧化層包括氧化鈦層。

6.如權利要求5所述的光感測元件，其中該氧化鈦包括該鈦-鋁-鈦金屬層進行一等離子體表面改質處理工藝而形成。

7.一種光感測元件，包含：

一金屬導電層，至少具有一金屬；

一界面介電層，形成于該導電層上，該界面介電層的材料選自該金屬所形成的金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及其組合所組成的群組，該界面介電層的厚度為10至300埃；

一富硅介電層，形成于該界面介電層上，用于感測光線而產生光電流，該富硅介電層的材料選自富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組，或者選自氫化富硅氧化硅、氫化富硅氮化硅、氫化富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組；以及

一透明導電層，形成于該富硅介電層上。

8.如權利要求7所述的光感測元件，其中該透明導電層的材料包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

9.如權利要求7所述的光感測元件，其中該金屬導電層包含鈦-鋁-鈦金屬層。

10.如權利要求7所述的光感測元件，其中該界面介電層包含對該金屬導電層進行一等離子體表面改質處理工藝而形成。

11.如權利要求7所述的光感測元件，其中該界面介電層選自氧化鈦、氮化鈦、氮氧化鈦及其組合所組成的群組。

12.一種光感測元件的制作方法，包含：

形成一金屬導電層，至少具有一金屬；

形成一界面介電層于該金屬導電層上，該界面介電層的材料選自該金屬所形成的金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及其組合所組成的群組，該界面介電層的厚度為10至300埃；

形成一富硅介電層于該界面介電層上，用于感測光線而產生光電流，該富硅介電層的材料選自富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組，或者選自氫化富硅氧化硅、氫化富硅氮化硅、氫化富硅氮氧化硅及其組合所組成的群組；以及

形成一透明導電層于該富硅介電層上。

13.如權利要求12所述的制作方法，其中形成的該透明導電層的材料包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

14.如權利要求12所述的制作方法，其中形成的該金屬導電層包含鈦-鋁-鈦金屬層。

15.如權利要求12所述的制作方法，其中形成該界面介電層的步驟所包括的進行一等離子體表面改質處理工藝，使用一等離子體氣體與該金屬導電層的表面反應而形成該界面介電層。