[發明專利]一種低溫制備石墨烯薄膜的方法無效
| 申請號： | 201310060733.X | 申請日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN103407988A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 楊連喬;王浪;吳行陽;張建華;陳偉 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C01B31/04 | 分類號： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陸聰明 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 制備 石墨 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低溫制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于該方法的具體步驟為：
a.在金屬基底上沉積一層類金剛石DLC薄膜；
b.將步驟a所得的覆有DLC薄膜的金屬基底置于非氧化性氣氛中，升溫至300～500℃，保溫1～200分鐘，DLC薄膜在高溫下發生石墨化并在金屬基底催化下形成石墨烯，在非氧化性氣氛中降溫至室溫，得到覆于金屬基底上的石墨烯薄膜。
2.根據權利要求1所述的低溫制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于步驟a中所述的沉積的方法為粒子束沉積、物理氣相沉積、化學氣相沉積中的一種。
3.根據權利要求1所述的低溫制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于步驟a中所述的DLC薄膜的厚度小于100納米。
4.根據權利要求1所述的低溫制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于步驟a中所述的金屬基底為銅、鐵、鎳箔中的至少一種。
5.根據權利要求1、2或3所述的低溫制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于步驟a中還采用掩膜板來實現DLC薄膜的圖形化，進而得到圖形化的石墨烯薄膜。
6.根據權利要求1所述的低溫制備石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述非氧化性氣氛為氫氣或者氫氣和惰性氣體的混合氣體。
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