[發明專利]能夠挽救封裝后出現的缺陷特性的半導體器件

無效

• 申請號: 201310060187.X
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN103295640A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 金正謙;玄錫勛;崔楨煥;張星珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 蔡軍紅

技術領域

本發明構思涉及半導體器件，并且更具體地，涉及一種能夠補償封裝之后出現的缺陷特性的存儲器件、包括該存儲器件的存儲模塊及包括該存儲模塊的存儲系統。

背景技術

許多制造商制造存儲模塊。這些制造商通過降低存儲模塊的價格來保持競爭性，但是他們可能面對低利潤率。雖然生產的總收益率相對高，但是在裝在存儲模塊中的存儲芯片中可能出現缺陷。這些存儲芯片由測試被過濾為合格品。在這點上，從該存儲模塊移除有缺陷的存儲芯片并在該存儲模塊中再安裝另一存儲芯片的重復操作通常昂貴而費時，從而增加了制造成本。從而，存在對一種不執行該存儲模塊上的重復操作而挽救有缺陷的存儲芯片的方法的需求。

發明內容

根據本發明構思的一方面，提供了一種存儲器件，包括：包括多個存儲單元的存儲單元陣列；及包括至少一個反熔絲的反熔絲電路單元，在所述至少一個反熔絲中存儲了所述存儲單元陣列的缺陷單元地址，并向外部源輸出該缺陷單元地址。

反熔絲電路單元可以存儲在測試該存儲器件時出現的缺陷單元地址。

反熔絲電路單元可以存儲在封裝存儲器件之后出現的缺陷單元地址。

反熔絲電路單元可以存儲并可以更新該缺陷單元地址。

反熔絲電路單元響應于指示穩定了存儲器件的功率的上電檢測信號，可以讀取所述缺陷單元地址。

該存儲器件通過使用用于刷新存儲單元陣列中多個存儲單元的多片數據的刷新命令，可以命令反熔絲電路單元的讀模式或編程模式的開始。

該存儲器件通過使用用于結束存儲單元陣列中多個存儲單元的刷新操作的刷新命令，可以命令反熔絲電路單元的讀模式或編程模式的結束。

該存儲器件可以進一步包括選擇單元，該選擇單元接收從存儲單元陣列讀取的多個存儲單元的每個的數據，和從反熔絲電路單元讀取的缺陷單元地址；選擇所述多個存儲單元的每個的數據或缺陷單元地址；然后通過使用至少一個數據輸入/輸出（I/O）信號輸出所述數據或缺陷單元地址。

該存儲器件可以包括通孔和連接至該通孔的微凸點。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種存儲器件，包括：模式寄存器解碼器，接收地址信號和該存儲器件的編程操作模式；及包括至少一個反熔絲的反熔絲電路單元。該反熔絲電路單元將根據該存儲器件的編程操作的缺陷特性碼編程到所述至少一個反熔絲，并向外部源輸出該缺陷特性碼。

該反熔絲電路單元可以存儲與該存儲器件的時間參數配置、刷新配置、輸入/輸出（I/O）觸發電壓配置和數據訓練配置的至少一者有關的缺陷特性碼。

該存儲器件可以進一步包括地址解碼器，解碼所述地址信號，并將所述缺陷特性碼編程到與經解碼的地址信號對應的至少一個反熔絲。

反熔絲電路單元可以編程并可以更新所述缺陷特性碼。

反熔絲電路單元響應于指示穩定了存儲器件的功率的上電檢測信號，可以讀取所述缺陷特性碼。

該存儲器件可以進一步包括選擇單元，該選擇單元接收從該存儲器件的存儲單元陣列讀出的存儲單元的數據，和從反熔絲電路單元讀出的缺陷特性碼；響應于模式寄存器解碼器中生成的選擇信號，選擇所述存儲單元的數據或缺陷特性碼；然后通過使用數據輸入/輸出（I/O）信號輸出所述數據或缺陷特性碼。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種包括至少一個存儲器件和存儲緩沖器的存儲模塊，所述存儲緩沖器包括存儲單元，當請求對所述至少一個存儲器件中的缺陷單元存取時，存取所述存儲單元而不是缺陷單元，其中至少一個存儲器件包括反熔絲電路單元，該反熔絲電路單元包括至少一個反熔絲，其在所述至少一個反熔絲中存儲存儲單元陣列的缺陷單元的地址，并將該缺陷單元的地址讀到存儲緩沖器。

存儲緩沖器可以包括邏輯電路單元，存儲缺陷單元的地址，并通過比較該缺陷單元的地址和從外部源輸入的地址而生成擊中信號。存儲單元存儲打算寫到缺陷單元的地址的數據，并且選擇單元響應于該擊中信號將數據寫到存儲單元或從該存儲單元讀數據。

存儲單元可以僅包括一個寄存器，以便挽救存儲模塊中的僅僅一個缺陷單元。

存儲單元可以包括多個寄存器，以便挽救該存儲模塊中的多個缺陷單元。