[發明專利]能夠挽救封裝后出現的缺陷特性的半導體器件

無效

• 申請號: 201310060187.X
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN103295640A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 金正謙;玄錫勛;崔楨煥;張星珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 蔡軍紅

1.一種存儲器件，包括：

包括多個存儲單元的存儲單元陣列；及

包括至少一個反熔絲的反熔絲電路單元，在所述至少一個反熔絲中存儲存儲單元陣列的缺陷單元地址，并向外部源輸出該缺陷單元地址。

2.如權利要求1所述的存儲器件，其中反熔絲電路單元存儲當測試該存儲器件時出現的缺陷單元地址。

3.如權利要求1所述的存儲器件，其中反熔絲電路單元存儲在封裝該存儲器件之后出現的缺陷單元地址。

4.如權利要求1所述的存儲器件，其中反熔絲電路單元存儲并更新該缺陷單元地址。

5.如權利要求1所述的存儲器件，其中反熔絲電路單元響應于指示穩定了該存儲器件的功率的上電檢測信號，輸出所述缺陷單元地址。

6.如權利要求1所述的存儲器件，其中該存儲器件通過使用用于刷新存儲單元陣列中多個存儲單元的多片數據的刷新命令，命令反熔絲電路單元的讀模式或編程模式的開始。

7.如權利要求1所述的存儲器件，其中該存儲器件通過使用用于結束存儲單元陣列中多個存儲單元的刷新操作的刷新命令，命令反熔絲電路單元的讀模式或編程模式的結束。

8.如權利要求1所述的存儲器件，進一步包括：選擇單元，接收從存儲單元陣列讀取的多個存儲單元的每個的數據，和從反熔絲電路單元讀取的缺陷單元地址，選擇所述多個存儲單元的每個的數據或缺陷單元地址，然后通過使用至少一個數據輸入/輸出（I/O）信號，輸出所述數據或缺陷單元地址。

9.如權利要求1所述的存儲器件，其中該存儲器件包括通孔和連接至該通孔的微凸點。

10.一種存儲器件，包括：

模式寄存器解碼器，接收地址信號和該存儲器件的編程操作模式；及

包括至少一個反熔絲的反熔絲電路單元，根據該存儲器件的操作模式將缺陷特性碼編程到所述至少一個反熔絲，并向外部源輸出該缺陷特性碼。

11.如權利要求10所述的存儲器件，其中反熔絲電路單元存儲與該存儲器件的時間參數配置、刷新配置、輸入/輸出（I/O）觸發電壓配置和數據訓練配置的至少一者有關的缺陷特性碼。

12.如權利要求10所述的存儲器件，進一步包括：地址解碼器，解碼所述地址信號，并且對應于經解碼的地址信號將缺陷特性碼編程到所述至少一個反熔絲。

13.一種存儲模塊，包括：

至少一個存儲器件；及

包括存儲單元的存儲緩沖器，當請求對于所述至少一個存儲器件中的缺陷單元的存取時，存取所述存儲單元而不是缺陷單元，

其中所述至少一個存儲器件包括：包括至少一個反熔絲的反熔絲電路單元，在所述至少一個反熔絲中存儲存儲單元陣列的缺陷單元的地址，并向存儲緩沖器輸出該缺陷單元的地址。

14.如權利要求13所述的存儲模塊，其中存儲緩沖器包括：

邏輯電路單元，存儲缺陷單元的地址，并通過比較該缺陷單元的地址和從外部源輸入的地址而生成擊中信號；

存儲單元，存儲要寫到缺陷單元的地址的數據；及

選擇單元，響應于所述擊中信號，將數據寫到存儲單元或從存儲單元讀數據。

15.如權利要求13所述的存儲模塊，其中所述存儲單元僅包括一個寄存器，以便挽救該存儲模塊中的僅僅一個缺陷單元。

16.如權利要求13所述的存儲模塊，其中存儲單元包括多個寄存器，以便挽救該存儲模塊中的多個缺陷單元。

17.一種存儲系統，包括：

至少一個存儲器件；及

包括存儲單元的存儲控制器，當請求對所述至少一個存儲器件中的缺陷單元的存取時，存取所述存儲單元而不是缺陷單元，

其中所述至少一個存儲器件包括：包括至少一個反熔絲的反熔絲電路單元，在所述至少一個反熔絲中存儲存儲單元陣列的缺陷單元的地址，并向存儲控制器輸出該缺陷單元的地址。