[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201310059385.4
• 申請日: 2013-02-20
• 公開（公告）號: CN103296001B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 舟根圣忠
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 陳偉

1.一種半導體器件，其特征在于，具有：

第1布線，其形成于第1布線層，

第2布線，其在所述第1布線層上沿著所述第1布線而形成，

第3布線，其在所述第1布線層的所述第1布線與所述第2布線之間的區域，沿著所述第1布線及所述第2布線而形成，

突出部，其在所述第1布線層的所述第1布線與所述第2布線之間的區域與所述第1布線一體形成，

第4布線，其在第2布線層上與所述第1布線、所述第2布線及所述突出部交叉而形成，

第5布線，其在所述第2布線層上與所述第1布線、所述第2布線及所述第3布線交叉而形成，

第1過孔群，其形成于所述第1布線與所述第4布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第4布線，

第2過孔群，其形成于所述第2布線與所述第5布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第5布線，

第3過孔群，其形成于所述突出部與所述第4布線的交叉部，且連接所述突出部和所述第4布線。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述突出部為第1突出部，

所述半導體器件還具有：

第2突出部，其形成于所述第1布線層的所述第1布線與第2布線之間的區域，且與所述第2布線一體形成，

第6布線，其在所述第2布線層上與所述第1布線、所述第2布線及所述第2突出部交叉而形成，

第4過孔群，其形成于所述第2布線與所述第6布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第6布線，

第5過孔群，其形成于所述第2突出部與所述第6布線的交叉部，且連接所述第2突出部和所述第6布線。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述突出部也與所述第2布線一體形成，

所述半導體器件還具有：

第4過孔群，其形成于所述第1布線與所述第5布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第5布線，

第5過孔群，其形成于所述第2布線與所述第4布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第4布線。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1突出部和所述第2突出部交互配置在所述第1布線與所述第2布線之間區域。

5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

還具有：

第7布線，其在所述第2布線層的所述第4布線與所述第6布線之間的區域，沿著所述第6布線且與所述第1布線、所述第2布線、所述第1突出部以及所述第2突出部交叉而形成，

第8布線，其在所述第2布線層的所述第4布線與所述第7布線之間的區域，沿著所述第4布線且與所述第1布線、所述第2布線、所述第1突出部以及所述第2突出部交叉而形成，

第6過孔群，其形成于所述第1布線與所述第7布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第7布線，

第7過孔群，其形成于所述第1突出部與所述第7布線的交叉部，且連接所述第1突出部和所述第7布線，

第8過孔群，其形成于所述第2布線與所述第8布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第8布線，

第9過孔群，其形成于所述第2突出部與所述第8布線的交叉部，且連接所述第2突出部和所述第8布線，

其中，

所述第1突出部包括：與所述第4布線交叉的第1交叉部、與所述第7布線交叉的第2交叉部、以及形成于所述第1交叉部與所述第2交叉部之間的凸緣，

所述第2突出部包括：與所述第6布線交叉的第1交叉部、與所述第8布線交叉的第2交叉部、以及形成于所述第1交叉部與所述第2交叉部之間的凸緣。