[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 201310059179.3
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN104008973A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 唐兆云;閆江
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔡純

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在半導體層中形成柵極開口；

在柵極開口中形成犧牲柵；

在半導體層的鄰近柵極開口的部分中形成源區和漏區；

去除犧牲柵；

在柵極開口中形成包括替代柵介質層和替代柵導體層的柵堆疊；以及

在源區和漏區的頂部形成硅化物，

其中，柵極開口用于限定半導體層的提供溝道區的部分的厚度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中柵極開口用于限定半導體層的提供溝道區的部分的頂部表面。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在形成柵極開口的步驟之前，還包括進一步減小半導體層的提供溝道區的部分的厚度。

4.根據權利要求3所述的方法，其中進一步減小半導體層的提供溝道區的部分的厚度包括：

對半導體層進行離子注入以在半導體層的下部形成阱區，阱區的摻雜劑類型與源區和漏區的摻雜劑類型相反。

5.根據權利要求4所述的方法，其中阱區用于限定半導體層的提供溝道區的部分的底部表面。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在形成柵極開口和形成犧牲柵的步驟之間，還包括進一步減小半導體層的提供溝道區的部分的厚度。

7.根據權利要求6所述的方法，其中進一步減小半導體層的提供溝道區的部分的厚度包括：

進行熱氧化，使得半導體層在柵極開口的底部和側壁上的暴露部分形成氧化物；以及

相對于半導體層去除氧化物。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在形成柵極開口和形成犧牲柵的步驟之間，還包括在柵極開口內壁上形成柵極側墻。

9.根據權利要求1所述的方法，其中半導體層是SOI晶片的半導體層，所述SOI晶片還包括半導體襯底以及位于半導體襯底和半導體層之間的絕緣掩埋層。

10.根據權利要求1所述的方法，在形成柵極開口的步驟之前，還包括：

對塊狀的半導體襯底進行離子注入以形成阱區，使得半導體襯底的位于阱區上的部分形成半導體層，阱區的摻雜劑類型與源區和漏區的摻雜劑類型相反。

11.根據權利要求1所述的方法，其中在形成柵極開口和形成犧牲柵的步驟之間，還包括：

經由柵極開口對半導體層進行離子注入以調節閾值電壓。