[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310058642.2
• 申請日: 2013-02-25
• 公開（公告）號: CN103208491B
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 吳松;包杰瓊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

高級超維場開關技術(Advanced-SuperDimensionalSwitching，簡稱：ADS)通過同一平面內像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電極間產生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD畫面品質，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應時間、無擠壓水波紋(pushMura)波紋等優點。

ADS顯示器由ADS陣列基板和彩膜基板對盒而形成，ADS陣列基板和彩膜基板之間滴注有液晶。一般而言，如圖1所示，ADS陣列基板包括：基板1，依次設置在基板1上的公共電極層8、柵極金屬層10、柵絕緣層12、有源層9、源漏極金屬層11、絕緣保護層7和像素電極層2，柵極金屬層中包括TFT的柵極和柵線(圖中未示出)，有源層9包括半導體層3和摻雜半導體層4，源漏極金屬層11中包括TFT的源極5、漏極6以及數據線，像素電極層2中包括像素電極，公共電極層8中包括公共電極，源漏極金屬層11的漏極6通過過孔與像素電極層2相連。

目前，ADS陣列基板的制造方法普遍為五次甚至是六次構圖工藝，以五次構圖工藝為例，其實現過程一般包括：第一次構圖工藝形成公共電極層8；第二次構圖工藝形成柵極金屬層10；第三次構圖工藝形成有源層9(半導體層3和摻雜半導體層4)、源漏金屬層11；第四次構圖工藝形成絕緣保護層7，并在絕緣保護層7形成連接源漏極金屬層的漏極6和像素電極層2的過孔；第五次構圖工藝形成像素電極層2，這樣就完成了陣列基板的制作。

但是，由于到構圖工藝的次數直接影響著制作成本與良品率，構圖工藝次數越多，則生產周期越長，制作成本越高，良品率越低。因此，如何有效的減少構圖工藝次數，是陣列基板的制作過程中需要解決的技術問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠減少陣列基板的制備過程中所采用的構圖工藝的次數，從而有效降低制作成本，提高良品率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，本發明提供一種陣列基板，包括基板，依次設置在所述基板上的柵極、柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極和絕緣保護層，所述基板上還設置有像素電極和公共電極，以及連接所述像素電極和所述漏電極的第一引線孔和連接所述公共電極和公共電極線的第二引線孔，

所述像素電極設置在所述基板上，所述柵極直接設置在與所述像素電極同層設置的透明導電層上；

所述像素電極通過設置在第一引線孔里的第一金屬連接層與所述漏電極相連接，所述第一金屬連接層與所述柵極同層設置。

可選地，所述公共電極線與所述柵極同層設置，

所述公共電極和所述公共電極線通過設置在第二引線孔中的第二金屬連接層相連接，所述第二金屬連接層與所述源電極和漏電極同層設置。

進一步地，所述的陣列基板還包括：設置在所述陣列基板邊緣的源漏極引線端子和柵極引線端子；

所述源漏極引線端子，通過設置在源漏極引線孔里的第二金屬連接層與數據線相連接，所述數據線與所述源電極和所述漏電極同層設置；

所述柵極引線端子，通過設置在柵極引線孔里的第二金屬連接層與柵線相連接，所述柵線與所述柵極同層設置。

本發明還提供另一陣列基板，包括基板，依次設置在所述基板上的柵極、柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極和絕緣保護層，所述基板上還設置有像素電極和公共電極，所述公共電極設置在所述基板上，所述柵極直接設置在與所述公共電極同層設置的透明導電層上；

所述像素電極設置在所述絕緣保護層上，所述絕緣保護層設置有絕緣保護層過孔，所述像素電極通過所述絕緣保護層過孔與所述漏電極相連接。

具體地，公共電極線與所述柵極同層設置，

所述公共電極線直接與位于所述公共電極線下方的所述公共電極相連接。

本發明還提供一種顯示裝置，包括任一項所述的陣列基板。

另一方面，本發明還提供一種陣列基板的制造方法，包括：

通過第一次構圖工藝形成像素電極、柵極、第一金屬連接層、公共電極線、柵絕緣層、有源層、第一引線孔和第二引線孔；