[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310058642.2
• 申請日: 2013-02-25
• 公開（公告）號: CN103208491B
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 吳松;包杰瓊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括基板，依次設置在所述基板上的柵極、柵絕 緣層、有源層、源電極、漏電極和絕緣保護層，所述基板上還設置有像 素電極和公共電極，以及連接所述像素電極和所述漏電極的第一引線孔 和連接所述公共電極和公共電極線的第二引線孔，其特征在于，

所述像素電極設置在所述基板上，所述柵極直接設置在與所述像素 電極同層設置的透明導電層上；

所述像素電極通過設置在第一引線孔里的第一金屬連接層與所述漏 電極相連接，所述第一金屬連接層與所述柵極同層設置。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述公共電極線與所述柵極同層設置，

所述公共電極和所述公共電極線通過設置在第二引線孔中的第二金 屬連接層相連接，所述第二金屬連接層與所述源電極和漏電極同層設置。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：設 置在所述陣列基板邊緣的源漏極引線端子和柵極引線端子；

所述源漏極引線端子，通過設置在源漏極引線孔里的第二金屬連接 層與數據線相連接，所述數據線與所述源電極和所述漏電極同層設置；

所述柵極引線端子，通過設置在柵極引線孔里的第二金屬連接層與 柵線相連接，所述柵線與所述柵極同層設置。

4.一種陣列基板，包括基板，依次設置在所述基板上的柵極、柵絕 緣層、有源層、源電極、漏電極和絕緣保護層，所述基板上還設置有像 素電極和公共電極，其特征在于，

所述公共電極設置在所述基板上，所述柵極直接設置在與所述公共 電極同層設置的透明導電層上；

所述像素電極設置在所述絕緣保護層上，所述絕緣保護層設置有絕 緣保護層過孔，所述像素電極通過所述絕緣保護層過孔與所述漏電極相 連接。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

公共電極線與所述柵極同層設置，

所述公共電極線直接與位于所述公共電極線下方的所述公共電極相 連接。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的陣 列基板。

7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

通過第一次構圖工藝形成像素電極、柵極、第一金屬連接層、公共 電極線、柵絕緣層、有源層、第一引線孔和第二引線孔，包括：

形成有第一透明導電薄膜和柵金屬薄膜，

在形成有第一透明導電薄膜和柵金屬薄膜的基板上涂覆光刻膠，

對基板進行多階曝光，經過曝光、顯影后，形成像素電極、柵極并 在所述第一引線孔和所述第二引線孔的預設位置保留光刻膠，

形成柵絕緣層和半導體層，

去除剩余的光刻膠和位于其上方的柵絕緣層和半導體層，形成有源 層、第一引線孔并去除第二引線孔預設位置的柵絕緣層和半導體層；

通過第二次構圖工藝形成源電極、漏電極、第二金屬連接層和絕緣 保護層，所述漏電極通過設置在第一引線孔中的第一金屬連接層與所述 像素電極連接，包括：

形成源漏金屬層，

在形成源漏金屬層的基板上涂覆光刻膠，

對基板進行多階曝光，經過曝光、顯影后，形成TFT溝道區和源漏 電極，并在第二引線孔預設位置保留光刻膠，

形成絕緣保護層，

去除剩余的光刻膠和位于其上方的絕緣保護層，形成第二引線孔；

通過第三次構圖工藝形成公共電極，所述公共電極通過設置在第二 引線孔中的第二金屬連接層與所述公共電極線連接。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一次構圖工藝 包括半色調掩膜工藝和離地剝離技術。