[發(fā)明專(zhuān)利]一種陣列基板及面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310057816.3
• 申請(qǐng)日: 2013-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103943611B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭禮朋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/60
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/60;H01L27/02
• 代理公司: 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及平板顯示及平板圖像傳感器領(lǐng)域，特別涉及一種用于平板顯示或平板圖像傳感器的陣列基板以及相應(yīng)面板。

背景技術(shù)

當(dāng)前，平板顯示及平板圖像傳感技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入了飛速發(fā)展的階段，各種應(yīng)用于平板顯示、平板圖像傳感領(lǐng)域的新型技術(shù)正在成為當(dāng)下研究的熱點(diǎn)之一。在其陣列基板的制作過(guò)程中，靜電成為了提升良率、制造出合格的陣列基板的一個(gè)勁敵，隨之而來(lái)的各種ESD（Electro-Static?discharge）防靜電手段也應(yīng)運(yùn)而生。

現(xiàn)有技術(shù)通常在位于陣列基板的周邊區(qū)域的公共電極線（common?line）1與被保護(hù)金屬線2之間電連接一個(gè)短路棒（shorting?bar）3來(lái)解決靜電釋放的難題，如圖1a所示。在陣列基板的制程過(guò)程中，為了防止靜電，被保護(hù)的金屬線2通過(guò)短路棒3電連接公共電極線1，具體的，如圖1b所示，導(dǎo)電物質(zhì)4將位于透明基板上原本斷開(kāi)的公共電極線1和被保護(hù)金屬線2電連接在了一起，從而使得積聚在被保護(hù)金屬線2上的電荷通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)4釋放到公共電極線1上，以便電荷能在大范圍擴(kuò)展，從而降低陣列基板制程中靜電損傷風(fēng)險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)了靜電保護(hù)。接近制程結(jié)束時(shí)，再將覆蓋導(dǎo)電物質(zhì)4的絕緣膜5刻蝕出一個(gè)過(guò)孔，并進(jìn)一步將所述過(guò)孔暴露出的導(dǎo)電物質(zhì)4也刻蝕掉，使刻蝕后的導(dǎo)電物質(zhì)4成為互相電絕緣的兩部分，如圖1c所示。最后重新覆蓋一層新的絕緣膜6將此結(jié)構(gòu)保護(hù)起來(lái)，這樣就實(shí)現(xiàn)了陣列基板制程結(jié)束時(shí)，將被保護(hù)金屬線2與公共電極線1電絕緣的目的，也即斷開(kāi)短路棒，以便使各被保護(hù)金屬線2能正常工作。

然而，在實(shí)際陣列基板的制造過(guò)程中，使短路棒3斷開(kāi)而刻蝕的過(guò)孔較深，刻蝕后新覆蓋的絕緣膜6在此處的膜質(zhì)較松；面板使用過(guò)程中，尤其在面板拿取時(shí)，此處容易發(fā)生靜電放電，且此時(shí)短路棒因被切斷而已無(wú)靜電防護(hù)功能，進(jìn)而很容易導(dǎo)致器件受到靜電損傷；另外，因外部靜電導(dǎo)入面板（例如柔性電路板FPC帶來(lái)的外部靜電）而引起的良品報(bào)廢也不容小覷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板在短路棒斷開(kāi)后，在被切斷的短路棒處產(chǎn)生或者積聚的靜電對(duì)被保護(hù)結(jié)構(gòu)可能造成的靜電損傷、靜電防護(hù)能力缺乏的問(wèn)題。

具體地，本發(fā)明提供的一種陣列基板包括位于周邊區(qū)域的公共電極線和位于所述公共電極線內(nèi)側(cè)的被保護(hù)結(jié)構(gòu)，電連接于所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)和所述公共電極線之間的短路棒，用于釋放所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)上的靜電，所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)和所述公共電極線之間還電連接有第二靜電保護(hù)電路，所述第二靜電保護(hù)電路在所述短路棒被切斷后通過(guò)所述公共電極線釋放靜電。

進(jìn)一步的，所述短路棒設(shè)置在所述公共電極線遠(yuǎn)離所述陣列基板中心區(qū)域的一側(cè)，所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)與所述公共電極線交疊，所述公共電極線在所述交疊區(qū)域包括至少一個(gè)鏤空區(qū)域，所述第二靜電保護(hù)電路包括至少一個(gè)由所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)和所述公共電極線交疊形成的電容。

進(jìn)一步的，所述鏤空區(qū)域位于所述公共電極線遠(yuǎn)離所述陣列基板中心區(qū)域的一側(cè)，或者位于所述公共電極線的中心區(qū)域，或者位于所述公共電極線的兩側(cè)邊緣。

進(jìn)一步的，所述短路棒設(shè)置在所述公共電極線靠近所述陣列基板中心區(qū)域的一側(cè)，所述公共電極線包含至少一個(gè)第一分支，所述第二靜電保護(hù)電路包括由所述第一分支與所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)交疊形成的電容。

進(jìn)一步的，所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)包含至少一個(gè)第二分支，所述第二靜電保護(hù)電路包括由所述第一分支和所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)的第二分支交疊形成的電容。

進(jìn)一步的，所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)包括一個(gè)鏤空區(qū)域，被鏤空的那部分被保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)段被所述鏤空區(qū)域分為第一部分和第二部分，所述第一分支與所述第二部分交疊且與所述第一部分不交疊，所述第二靜電保護(hù)電路包括由所述第一部分與所述第一分支形成的尖端放電結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述短路棒設(shè)置在所述公共電極線靠近所述陣列基板中心區(qū)域的一側(cè)，所述第二靜電保護(hù)電路包括至少一個(gè)TFT，所述TFT的源極或者漏極電連接所述被保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述TFT的漏極或者源極電連接所述公共電極線，所述TFT的柵極接低電平。

進(jìn)一步的，所述短路棒設(shè)置在所述公共電極線靠近所述陣列基板中心區(qū)域的一側(cè)，所述第二靜電保護(hù)電路包括第一TFT、第二TFT、第三TFT、以及第四TFT，其中：

所述第一TFT的源極與第二TFT的源極相連，并連接至第二TFT的柵極；

所述第一TFT的漏極與第二TFT的漏極相連，并連接至第一TFT的柵極；

所述第三TFT的源極與第四TFT的源極相連，并連接至第三TFT的柵極；