[發明專利]一種陣列基板及面板

有效

• 申請號: 201310057816.3
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN103943611B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 鄭禮朋
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L27/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種陣列基板，所述陣列基板包括位于周邊區域的公共電極線和位于所述公共電極線內側的被保護結構，電連接于所述被保護結構和所述公共電極線之間的短路棒，用于釋放所述被保護結構上的靜電，其特征在于，所述被保護結構和所述公共電極線之間還電連接有第二靜電保護電路，所述第二靜電保護電路在所述短路棒被切斷后通過所述公共電極線釋放靜電。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述短路棒設置在所述公共電極線遠離所述陣列基板中心區域的一側，所述被保護結構與所述公共電極線交疊，所述公共電極線在所述交疊區域包括至少一個鏤空區域，所述第二靜電保護電路包括至少一個由所述被保護結構和所述公共電極線交疊形成的電容。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述鏤空區域位于所述公共電極線遠離所述陣列基板中心區域的一側，或者位于所述公共電極線的中心區域，或者位于所述公共電極線的兩側邊緣。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述短路棒設置在所述公共電極線靠近所述陣列基板中心區域的一側，所述公共電極線包含至少一個第一分支，所述第二靜電保護電路包括由所述第一分支與所述被保護結構交疊形成的電容。

5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述被保護結構包含至少一個第二分支，所述第二靜電保護電路包括由所述第一分支和所述被保護結構的第二分支交疊形成的電容。

6.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述被保護結構包括一個鏤空區域，被鏤空的那部分被保護結構區段被所述鏤空區域分為第一部分和第二部分，所述第一分支與所述第二部分交疊且與所述第一部分不交疊，所述第二靜電保護電路包括由所述第一部分與所述第一分支形成的尖端放電結構。

7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述短路棒設置在所述公共電極線靠近所述陣列基板中心區域的一側，所述第二靜電保護電路包括至少一個TFT，所述TFT的源極或者漏極電連接所述被保護結構，所述TFT的漏極或者源極電連接所述公共電極線，所述TFT的柵極接低電平。

8.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述短路棒設置在所述公共電極線靠近所述陣列基板中心區域的一側，所述第二靜電保護電路包括第一TFT、第二TFT、第三TFT、以及第四TFT，其中：

所述第一TFT的源極與第二TFT的源極相連，并連接至第二TFT的柵極；

所述第一TFT的漏極與第二TFT的漏極相連，并連接至第一TFT的柵極；

所述第三TFT的源極與第四TFT的源極相連，并連接至第三TFT的柵極；

所述第三TFT的漏極與第四TFT的漏極相連，并連接至第四TFT的柵極；

第二TFT的柵極與第三TFT的柵極相連，

第一TFT的柵極連接至所述被保護結構，第四TFT的柵極連接至所述公共電極線。

9.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述短路棒設置在所述公共電極線靠近所述陣列基板中心區域的一側，所述第二靜電保護電路包括一個虛擬像素單元，所述虛擬像素單元包括一個虛擬像素TFT、一個虛擬像素二極管，所述虛擬像素TFT的源極或漏極電連接所述被保護結構，所述虛擬像素TFT的漏極或源極電連接所述虛擬像素二極管的負極，所述虛擬像素TFT的柵極連接低電平；所述虛擬像素二極管的正極連接至一條虛擬像素公共線，所述虛擬像素公共線電連接至所述周邊區域的公共電極線，所述公共電極線連接低電平，所述第二靜電保護電路在所述短路棒被切斷后通過所述虛擬像素公共線或者所述虛擬像素TFT的柵極釋放靜電。

10.一種面板，包括如權利要求1-9中任一權利要求所述的陣列基板。