[發(fā)明專利]TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310057631.2
• 申請(qǐng)日: 2013-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103165530A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 舒適;惠官寶;葉騰;姜春生;蓋翠麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國(guó)勝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD）具有體積小，功耗低，無(wú)輻射等特點(diǎn)，近年來(lái)得到迅速發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。TFT-LCD的主體結(jié)構(gòu)包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板。陣列基板上形成有像素矩陣，以及形成在每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，簡(jiǎn)稱TFT）和透明像素電極。彩膜基板上形成有紅、綠、藍(lán)（R、G、B）三種彩色樹(shù)脂組成的彩色濾光片和黑矩陣，其中，黑矩陣與薄膜晶體管對(duì)應(yīng)設(shè)置，防止漏光。以薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)形成驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)控制液晶的旋轉(zhuǎn)，從而控制TFT-LCD的顯示過(guò)程，彩色濾光片用于實(shí)現(xiàn)彩色畫(huà)面的顯示。但是，由于陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)存在偏差，需要增大黑矩陣（BM）的寬度，以避免對(duì)盒偏差造成漏光，而增大的BM卻會(huì)降低像素區(qū)域的開(kāi)口率，影響顯示效果。

現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)將彩色濾光片形成在陣列基板上的結(jié)構(gòu)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。該陣列基板的制造工藝順序一般為：TFT—鈍化層—鈍化層過(guò)孔-彩色濾光片-樹(shù)脂平坦層（用于使R、G、B彩色樹(shù)脂的表面平滑）-透明像素電極；或者TFT-鈍化層-彩色濾光片-樹(shù)脂平坦層-鈍化層過(guò)孔-透明像素電極。其中，彩色濾光片圖案和樹(shù)脂平坦層圖案的形成過(guò)程為：分別通過(guò)掩膜工藝形成R、G、B彩色樹(shù)脂的圖案，然后再通過(guò)一次掩膜工藝形成樹(shù)脂平坦層的圖案。因此，無(wú)論是以上哪種工藝順序，在制作樹(shù)脂平坦層時(shí)都要進(jìn)行曝光，且曝光量較大，大曝光量對(duì)有源層（包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層）有損壞，會(huì)影響TFT特性，降低顯示品質(zhì)。

目前的一種解決方法就是增加一次掩膜工藝在TFT上方制作遮光片圖案，但增加一次掩膜工藝會(huì)使陣列基板的制造成本大幅增加，而如果通過(guò)多灰階掩膜工藝同時(shí)形成遮光片圖案與其它圖案（如：鈍化層過(guò)孔圖案），則會(huì)增加掩膜版的成本，提高陣列基板的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置，僅通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層過(guò)孔的圖案，并在該構(gòu)圖工藝的光刻膠剝離過(guò)程中形成遮光片的圖案，以克服陣列基板的構(gòu)圖工藝中由于曝光量過(guò)大對(duì)薄膜晶體管有源層的損壞，并降低在TFT上方形成遮光片的制造成本。

（二）技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板的制造方法，包括以下步驟：

S1、在一襯底基板上形成薄膜晶體管；

S2、在完成步驟S1的襯底基板上形成鈍化層薄膜；

S3、在完成步驟S2的襯底基板上形成包括鈍化層過(guò)孔和遮光片的圖案；

S4、在完成步驟S3的襯底基板上形成彩色濾光片圖案和像素電極圖案，所述像素電極通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述薄膜晶體管的漏電極電連接，所述彩色濾光片與所述像素電極的位置對(duì)應(yīng)。

如上所述的TFT陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，形成鈍化層過(guò)孔的圖案具體包括：

在完成步驟S2的襯底基板上涂覆一層光刻膠；

采用掩膜版進(jìn)行曝光，顯影，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，其中，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述鈍化層過(guò)孔所在的區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于其他圖案所在的區(qū)域；

刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層薄膜，形成鈍化層過(guò)孔的圖案。

如上所述的TFT陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，形成遮光片的圖案具體包括：

通過(guò)灰化工藝減薄光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠高度直至露出所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的周邊區(qū)域上方仍保留一定厚度的光刻膠；

在所述薄膜晶體管上方形成不透光導(dǎo)電金屬層薄膜；

剝離剩余的光刻膠，在所述薄膜晶體管上方形成遮光片圖案，所述鈍化層過(guò)孔上方仍保留不透光導(dǎo)電金屬層薄膜。

如上所述的TFT陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，所述灰化工藝采用的氣體中氧氣和六氟化硫氣體的體積比范圍為10~50。

如上所述的TFT陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，步驟S1具體包括：

在一襯底基板上形成橫縱交叉分布的柵線和數(shù)據(jù)線，其中，所述柵線和數(shù)據(jù)線交叉限定的區(qū)域?yàn)橄袼貑卧獏^(qū)域；所述薄膜晶體管形成在所述像素單元區(qū)域內(nèi)。

如上所述的TFT陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，步驟S4具體包括：