[發明專利]TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310057631.2
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN103165530A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 舒適;惠官寶;葉騰;姜春生;蓋翠麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

1.一種TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在一襯底基板上形成薄膜晶體管；

S2、在完成步驟S1的襯底基板上形成鈍化層薄膜；

S3、在完成步驟S2的襯底基板上形成包括鈍化層過孔和遮光片的圖案；

S4、在完成步驟S3的襯底基板上形成彩色濾光片圖案和像素電極圖案，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述薄膜晶體管的漏電極電連接，所述彩色濾光片與所述像素電極的位置對應。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，形成鈍化層過孔的圖案具體包括：

在完成步驟S2的襯底基板上涂覆一層光刻膠；

采用掩膜版進行曝光，顯影，使光刻膠形成光刻膠完全去除區域和光刻膠完全保留區域，其中，光刻膠完全去除區域對應于所述鈍化層過孔所在的區域，光刻膠完全保留區域對應于其他圖案所在的區域；

刻蝕掉光刻膠完全去除區域的鈍化層薄膜，形成鈍化層過孔的圖案。

3.根據權利要求2所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，形成遮光片的圖案具體包括：

通過灰化工藝減薄光刻膠完全保留區域的光刻膠高度直至露出所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的周邊區域上方仍保留一定厚度的光刻膠；

在所述薄膜晶體管上方形成不透光導電金屬層薄膜；

剝離剩余的光刻膠，在所述薄膜晶體管上方形成遮光片圖案，所述鈍化層過孔上方仍保留不透光導電金屬層薄膜。

4.根據權利要求3所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述灰化工藝采用的氣體中氧氣和六氟化硫氣體的體積比范圍為10~50。

5.根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S1具體包括：

在一襯底基板上形成橫縱交叉分布的柵線和數據線，其中，所述柵線和數據線交叉限定的區域為像素單元區域；所述薄膜晶體管形成在所述像素單元區域內。

6.根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4具體包括：

在完成步驟S3的襯底基板上形成紅色像素圖案、綠色像素圖案和藍色像素圖案，所述紅色像素、綠色像素和藍色像素組成所述彩色濾光片；

在所述彩色濾光片上方形成像素電極圖案。

7.根據權利要求1所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4具體包括：

在完成步驟S3的襯底基板上形成像素電極圖案；

在所述像素電極圖案上方形成紅色像素圖案、綠色像素圖案和藍色像素圖案，所述紅色像素、綠色像素和藍色像素組成所述彩色濾光片。

8.一種采用權利要求1-7所述制造方法制造的TFT陣列基板，包括形成在一襯底基板上的薄膜晶體管、鈍化層過孔、彩色濾光片和像素電極，其特征在于，其還包括位于所述薄膜晶體管上方的遮光片，且所述鈍化層過孔上方具有與所述遮光片同材質的不透光導電金屬層薄膜。

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置采用權利要求8所述的陣列基板。