[發明專利]半導體結構的制造方法及應用其制成的半導體結構

無效

• 申請號: 201310056493.6
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN103137507A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 陳銀發;蔡宗岳;張效銓;陳燦賢;楊秉豐;賴逸少
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術領域

本發明是有關于一種半導體結構的制造方法及應用其制成的半導體結構，且特別是有關于一種其導電柱具有凸緣的半導體結構的制造方法及應用其制成的半導體結構。

背景技術

傳統的半導體結構通過導電柱設于一芯片或一電路板上。為了提升導電柱與對接件的結合性，通常于導電柱上形成焊料(solder)，在回焊(reflow)后，導電柱與對接件通過焊料形成金屬間化合物而結合。然而，焊料在回焊后往二側擴大，容易電性短路相鄰二導電柱，因而無法達成細間距(fine?pitch)的應用。此外，回焊溫度一般在攝氏260度左右，經歷過此高溫工藝后會產生許多問題，例如材料之間因為熱膨脹系數不同造成的翹曲現象(warpage)。

發明內容

本發明有關于一種半導體結構的制造方法及應用其制成的半導體結構，一實施例中，可改善相鄰二導電柱電性短路的問題及/或翹曲現象。

根據本發明的一實施例，提出一種半導體結構的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一晶圓，其中晶圓上形成有數個導電柱；形成一底膠至少包覆各導電柱的一端面；單一化此晶圓，以形成至少一芯片，其中芯片包括至少一導電柱；對準芯片的導電柱的端面與載板的電性接點；驅動芯片的導電柱往載板的電性接點移動，直到芯片的導電柱的端面接觸載板的電性接點；加熱底膠，直到底膠轉變成可流動性并覆蓋載板的電性接點；以及，驅動芯片的導電柱橫向研磨電性接點，直到導電柱與電性接點之間產生塑性金屬流動而結合。

根據本發明另一實施例，提出一種半導體結構。半導體結構包括一載板及一芯片。載板包括一電性接點。芯片包括一導電柱，導電柱與電性接點結合成一體化結構，一體化結構具有一凸緣。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示依照本發明一實施例的半導體結構的剖視圖。

圖2繪示依照本發明另一實施例的半導體結構的剖視圖。

圖3繪示依照本發明另一實施例的半導體結構的剖視圖。

圖4A至4J繪示圖1的半導體結構的制造過程圖。

圖5A至5B繪示圖2的半導體結構的制造過程圖。

圖6A至6B繪示圖3的半導體結構的制造過程圖。

圖7繪示依照本發明另一實施例的半導體結構的制造過程圖。

圖8繪示依照本發明另一實施例的半導體結構的制造過程圖。

主要元件符號說明：

100、200、300：半導體結構

110：載板

111：電性接點

111e、121e、122e：端面

111s、121s：側面

120：芯片

120′：晶圓

121：導電柱

122：焊料

125：凸緣

130、130A、130B：底膠

140：保持工具頭

141：加熱器

D1、D2：外徑

S1、S2：中心軸

X：橫向位移量

具體實施方式

請參照圖1，其繪示依照本發明一實施例的半導體結構的剖視圖。半導體結構100包括載板110、芯片120及底膠130。載板110包括至少一電性接點111，而芯片120包括至少一導電柱121，底膠130包覆導電柱121及電性接點111。

電性接點111與導電柱121的材料根據本發明的一實施例為金屬材料，電性接點111與導電柱121的材料可以相同或相異。一例中，電性接點111與導電柱121的材料例如是銅或其它合適材料，根據本發明一實施例，電性接點上可形成至少一表面處理層(surface?finishing)，表面處理層的材質選自于例如是鈀、鉑、金、銀、鈦、錫基合金或其組合，而表面處理層的厚度約0.1至3微米，或其它合適厚度值。若電性接點111與導電柱121的材料相異，則選用二可相互固溶的材料分別作為電性接點111及導電柱121的用料，如此電性接點111與導電柱121在采用橫向研磨方式結合后，電性接點111與導電柱121之間可形成金屬間化合物(Intermetallic?compound，IMC)，以緊密結合。一例中，電性接點111與導電柱121的一者可為銅或其合金，而另一者可為錫或其合金。