[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法及應(yīng)用其制成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310056493.6
• 申請(qǐng)日: 2013-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN103137507A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳銀發(fā);蔡宗岳;張效銓;陳燦賢;楊秉豐;賴逸少
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓，其中該晶圓上形成有數(shù)個(gè)導(dǎo)電柱；

形成一底膠至少包覆各該導(dǎo)電柱的一端面；

單一化該晶圓，以形成至少一芯片，其中該芯片包括至少一該導(dǎo)電柱；

對(duì)準(zhǔn)該芯片的該導(dǎo)電柱的該端面與一載板的一電性接點(diǎn)；

驅(qū)動(dòng)該芯片的該導(dǎo)電柱往該載板的該電性接點(diǎn)移動(dòng)，直到該芯片的該導(dǎo)電柱的該端面接觸該載板的該電性接點(diǎn)；

加熱該底膠，直到該底膠轉(zhuǎn)變成可流動(dòng)性并覆蓋該載板的該電性接點(diǎn)；以及

驅(qū)動(dòng)該芯片的該導(dǎo)電柱橫向研磨該電性接點(diǎn)，直到該導(dǎo)電柱與該電性接點(diǎn)之間產(chǎn)生塑性金屬流動(dòng)而結(jié)合。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅(qū)動(dòng)該芯片的該導(dǎo)電柱橫向研磨該電性接點(diǎn)的該步驟中，來回的頻率介于10Hz至60Hz之間。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅(qū)動(dòng)該芯片的該導(dǎo)電柱橫向研磨該電性接點(diǎn)的該步驟中，該導(dǎo)電柱繞該電性接點(diǎn)的一中心軸公轉(zhuǎn)的橫向位移量小于該導(dǎo)電柱外徑的三分之一。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于形成一底膠至少包覆各該導(dǎo)電柱的一端面的該步驟后，該制造方法更包括：

加熱該底膠，直到該底膠轉(zhuǎn)變至凝膠態(tài)。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅(qū)動(dòng)該芯片的該導(dǎo)電柱橫向研磨該電性接點(diǎn)的該步驟后，該制造方法更包括：

加熱該底膠，直到該底膠固化。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅(qū)動(dòng)該芯片的該導(dǎo)電柱橫向研磨該電性接點(diǎn)的該步驟中，所施加的壓力介于50Mpa至110Mpa之間。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該電性接點(diǎn)具有一端面，該電性接點(diǎn)的該端面的外徑等于或大于該導(dǎo)電柱的該端面的外徑。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一載板，包括一電性接點(diǎn)；以及

一芯片，包括一導(dǎo)電柱，該導(dǎo)電柱與該電性接點(diǎn)結(jié)合成一體化結(jié)構(gòu)，該一體化結(jié)構(gòu)具有一凸緣。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電性接點(diǎn)的外徑等于或大于該導(dǎo)電柱的外徑，該凸緣形成于該電性接點(diǎn)的端面上。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱的端面弧面，該凸緣形成于該電性接點(diǎn)的端面上且位于該導(dǎo)電柱的該端面與該電性接點(diǎn)的該端面之間。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱及該電性接點(diǎn)由一金屬材料所組成。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬材料為銅金屬。