[發明專利]半導體結構的制造方法及應用其制成的半導體結構

無效

• 申請號: 201310056493.6
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN103137507A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 陳銀發;蔡宗岳;張效銓;陳燦賢;楊秉豐;賴逸少
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓，其中該晶圓上形成有數個導電柱；

形成一底膠至少包覆各該導電柱的一端面；

單一化該晶圓，以形成至少一芯片，其中該芯片包括至少一該導電柱；

對準該芯片的該導電柱的該端面與一載板的一電性接點；

驅動該芯片的該導電柱往該載板的該電性接點移動，直到該芯片的該導電柱的該端面接觸該載板的該電性接點；

加熱該底膠，直到該底膠轉變成可流動性并覆蓋該載板的該電性接點；以及

驅動該芯片的該導電柱橫向研磨該電性接點，直到該導電柱與該電性接點之間產生塑性金屬流動而結合。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅動該芯片的該導電柱橫向研磨該電性接點的該步驟中，來回的頻率介于10Hz至60Hz之間。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅動該芯片的該導電柱橫向研磨該電性接點的該步驟中，該導電柱繞該電性接點的一中心軸公轉的橫向位移量小于該導電柱外徑的三分之一。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，于形成一底膠至少包覆各該導電柱的一端面的該步驟后，該制造方法更包括：

加熱該底膠，直到該底膠轉變至凝膠態。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅動該芯片的該導電柱橫向研磨該電性接點的該步驟后，該制造方法更包括：

加熱該底膠，直到該底膠固化。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，于驅動該芯片的該導電柱橫向研磨該電性接點的該步驟中，所施加的壓力介于50Mpa至110Mpa之間。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該電性接點具有一端面，該電性接點的該端面的外徑等于或大于該導電柱的該端面的外徑。

8.一種半導體結構，其特征在于，包括：

一載板，包括一電性接點；以及

一芯片，包括一導電柱，該導電柱與該電性接點結合成一體化結構，該一體化結構具有一凸緣。

9.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，該電性接點的外徑等于或大于該導電柱的外徑，該凸緣形成于該電性接點的端面上。

10.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，該導電柱的端面弧面，該凸緣形成于該電性接點的端面上且位于該導電柱的該端面與該電性接點的該端面之間。

11.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，該導電柱及該電性接點由一金屬材料所組成。

12.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，該金屬材料為銅金屬。