[發明專利]非易失性半導體存儲設備

有效

• 申請號: 201310056257.4
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN103632718B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 市毛正之
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高青

1.一種非易失性半導體存儲設備，包括：

存儲器單元陣列，配置成具有布置在其中的多個存儲器墊，每個存儲器墊具有在其中位于第一條線和第二條線的交點處的存儲器單元，所述存儲器單元包括第一可變電阻元件；

第三條線，延伸穿過多個存儲器墊；以及

第二可變電阻元件，連接在所述第三條線和多個存儲器墊中的每個存儲器墊的第二條線之間。

2.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

第二條線和第三條線基本上在相同方向上延伸。

3.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，進一步包括：

偽存儲器單元；以及

第四條線，經由所述偽存儲器單元連接到第二條線，

其中，當對應于第四條線的存儲器墊被選擇時，第四條線被設置成第一電位，而當對應于第四條線的存儲器墊未被選擇時，第四條線被設置成第二電位，所述第二電位與第一電位不同。

4.如權利要求3所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

第二條線和第三條線基本上在相同方向上延伸。

5.如權利要求3所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

第四條線和第一條線基本上在相同方向上延伸。

6.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

多個存儲器墊在與半導體襯底垂直的垂直方向上堆疊，以及

在垂直方向上相鄰的存儲器墊共享第三條線。

7.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

多個存儲器墊在與半導體襯底垂直的垂直方向上堆疊，以及

第一存儲器墊中的第三條線被共享作為位于第一存儲器墊上面的層中的第二存儲器墊中的第二條線。

8.如權利要求3所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

第四條線在每個存儲器墊的末端被提供。

9.如權利要求3所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

第四條線夾在每個存儲器墊中的第一條線之間。

10.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

用于第二可變電阻元件的設定電壓大于用于第一可變電阻元件的設定電壓。

11.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

用于第二可變電阻元件的復位電壓大于用于第一可變電阻元件的復位電壓。

12.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

在對選擇的存儲器單元的寫操作之前，連接到包括該選擇的存儲器單元的存儲器墊的第二可變電阻元件在對該存儲器單元的寫操作之前被從高電阻狀態改變成低電阻狀態，以及

在對該選擇的存儲器單元的寫操作之后，連接到包括該選擇的存儲器單元的存儲器墊的第二可變電阻元件在對該存儲器單元的寫操作之后被從低電阻狀態改變成高電阻狀態。

13.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

在對選擇的存儲器單元的讀操作之前，連接到包括該選擇的存儲器單元的存儲器墊的第二可變電阻元件在對該存儲器單元的讀操作之前被從高電阻狀態改變成低電阻狀態，以及

在對該選擇的存儲器單元的讀操作之后，連接到包括該選擇的存儲器單元的存儲器墊的第二可變電阻元件在對該存儲器單元的讀操作之后被從低電阻狀態改變成高電阻狀態。

14.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

所述存儲器單元包括串聯連接到第一可變電阻元件的第一二極管。

15.如權利要求14所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

第一二極管連接成把從第二條線到第一條線的方向作為正向方向。

16.如權利要求3所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

所述偽存儲器單元包括由與第一可變電阻元件相同的材料形成的第三可變電阻元件，并且包括串聯連接到第三可變電阻元件的第二二極管。

17.如權利要求16所述的非易失性半導體存儲設備，其中，

第二二極管連接成把從第二條線到第四條線的方向作為正向方向。