[發(fā)明專利]基體、電子器件的制造方法以及電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310056202.3
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN103296990A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 三上賢
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03H9/15
• 分類號: H03H9/15;H03H9/10;H03H3/02
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及將封裝內(nèi)部密封成減壓狀態(tài)的結(jié)構(gòu)的電子器件的制造方法以及具有通過該制造方法制造出的電子器件的電子設(shè)備。?

背景技術(shù)

以往，將封裝的內(nèi)部空間密封成減壓狀態(tài)的結(jié)構(gòu)的電子器件的一般制造方法是：在封裝的底面部，設(shè)置將外部和內(nèi)部空間連通的貫通孔，在減壓下從貫通孔對內(nèi)部空間進(jìn)行排氣后，用密封材料填充貫通孔。因此，對于電子器件而言，考慮到底面的強(qiáng)度和平坦度，難以使設(shè)置有貫通孔的封裝底部的厚度變薄，并且，如果底面變薄，則可能致使密封材料容易流動，從而引起布線等的短路。對此，在專利文獻(xiàn)1中公開了在封裝的側(cè)面形成貫通孔，可以使封裝的厚度變得更薄等的結(jié)構(gòu)的電子器件。根據(jù)該電子器件，除了通過提高封裝底面的強(qiáng)度而實現(xiàn)了薄型化以外，通過在可以設(shè)定得比底面更厚的側(cè)面上設(shè)置貫通孔，在抑制密封材料的流動而防止短路等方面也可以得到改善，實現(xiàn)了品質(zhì)的提高。?

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-289238號公報?

但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了對貫通孔進(jìn)行密封，通常進(jìn)行的是在貫通孔里設(shè)置密封材料并進(jìn)行加熱等這樣的、僅用于密封貫通孔的一項工序。此外，還存在以下問題：密封材料和封裝材料是不同的材料，在密封部分處會出現(xiàn)不同材料的邊界，伴隨封裝的小型薄型化，密封強(qiáng)度和封裝強(qiáng)度降低。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明正是為了解決上述問題中的至少一部分而完成的，可以作為以下應(yīng)用例或方式來實現(xiàn)。?

[應(yīng)用例1]本應(yīng)用例的基體的特征在于，該基體具有能夠搭載電子部件的搭載區(qū)域以及環(huán)狀的密封面，在俯視所述區(qū)域時所述密封面圍著所述區(qū)域，?

在所述密封面上固定著密封體，?

在所述密封面上存在貫通部，該貫通部是由所述密封體的壁面限定的凹部，并且在俯視時，該貫通部將所述搭載區(qū)域與所述密封面的外周側(cè)之間連通。?

[應(yīng)用例2]本應(yīng)用例的基體的特征在于，所述密封體在所述貫通部處的露出面比所述密封體的其它部分的露出面靠近所述密封面?zhèn)取?

[應(yīng)用例3]本實施方式的基體的特征還在于，所述密封體夾著所述貫通部固定于所述密封面。?

[應(yīng)用例4]本實施方式的基體的特征還在于，所述密封體是通過加熱而熔化的材料。?

[應(yīng)用例5]本實施方式的基體的特征還在于，所述貫通部的截面形狀是楔狀。?

[應(yīng)用例6]本應(yīng)用例的電子器件的制造方法的特征在于，該制造方法包含以下步驟：?

準(zhǔn)備基體的步驟，所述基體具有能夠搭載電子部件的搭載區(qū)域和環(huán)狀的密封面，俯視所述區(qū)域，所述密封面圍著所述區(qū)域，并且在所述密封面上固定著密封體，并且在所述密封面上存在貫通部，該貫通部是由所述密封體的壁面限定的凹部，并且在俯視時，該貫通部將所述搭載區(qū)域與所述密封面的外周側(cè)之間連通；?

將電子部件配置在所述搭載區(qū)域中的步驟；?

蓋體設(shè)置步驟，以覆蓋所述電子部件的方式，隔著所述密封體在所述基體上設(shè)置蓋體；?

減壓步驟，將所述基體、所述密封體以及所述蓋體置于減壓環(huán)境；以及?

在減壓環(huán)境下使所述密封體熔化，通過所述密封體封閉所述貫通部的步驟。?

根據(jù)本應(yīng)用例的電子器件的制造方法，在基體準(zhǔn)備步驟中，重要的一點是設(shè)置于基體上的密封體具有貫通部。在蓋體設(shè)置步驟中，即便以與基體之間夾持著密封部的方式設(shè)置蓋體，也會成為這樣的狀態(tài)：該貫通部將由蓋體和基體形成的收納電子部件的空間與基體的外部側(cè)連通。在該狀態(tài)下，在減壓步驟中，該空間的空氣等從貫通部排出，空間內(nèi)成為減壓狀態(tài)，并且，在通過加熱步驟逐漸進(jìn)行加熱時，密封體適度地熔化，以堵塞貫通部的方式移動并阻斷連通狀態(tài)。即，貫通部是用于從空間中抽取空氣等而使空間成為減壓環(huán)境的部位。而且，當(dāng)空間成為減壓環(huán)境并加熱時，通過熔化的密封體將貫通部堵塞，由此空間被密閉為減壓環(huán)境的狀態(tài)。經(jīng)過這樣的制造步驟，與在基體等上設(shè)置減壓排氣用的孔，并利用與基體等不同的密封材料進(jìn)行孔密封的現(xiàn)有技術(shù)相比，電子器件既能夠保持密封強(qiáng)度又能夠抑制基體等的強(qiáng)度降低，能夠?qū)崿F(xiàn)?小型薄型化。此外，根據(jù)該電子器件的制造方法，可以通過加熱步驟這一個步驟來進(jìn)行基體與蓋體的接合以及貫通部的封閉，因此，有助于消減工時。?

[應(yīng)用例7]在上述應(yīng)用例記載的電子器件的制造方法中，優(yōu)選的是，所述基體準(zhǔn)備步驟包含：在所述基體上配置所述密封體的密封體配置步驟；以及所述密封體配置步驟后的、在所述密封體上形成所述貫通部的貫通部形成步驟。?