[發(fā)明專利]信號(hào)線的制作方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310056045.6
• 申請(qǐng)日: 2013-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103151253A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閻長(zhǎng)江;謝海征;陳磊;徐少穎;謝振宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種信號(hào)線的制作方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，縮寫為TFT-LCD）占據(jù)著當(dāng)前市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，其畫面的顯示，是通過(guò)控制施加在每個(gè)亞像素的像素電極上的灰階電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)，即當(dāng)某一行的柵極掃描線上施加開(kāi)啟電壓的時(shí)候，薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）打開(kāi)，數(shù)據(jù)線上的給定的灰階電壓就可以傳輸?shù)絹喯袼氐南袼仉姌O上，亞像素的像素電極和公共電極之間的電壓差決定了液晶分子的偏轉(zhuǎn)狀況，從而達(dá)到調(diào)節(jié)液晶顯示器的亮度和顯示效果的目的。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，從圖1中可以看出，所述TFT從下至上依次包括：玻璃基板11、柵極12、柵絕緣層13、有源層14、源極15、漏極16、鈍化層17和像素電極18；其中，柵極12和源極15、漏極16存在重合，而這種重合使得柵極12與源極15、漏極16產(chǎn)生了耦合電容，從而影響了有源層14的傳輸速度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種信號(hào)線的制作方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中因柵極和源極、漏極存在一定重合而產(chǎn)生耦合電容的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種信號(hào)線的制作方法，所述方法包括：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種信號(hào)線的制作方法，所述方法包括：

在基板上依次沉積用于制作信號(hào)線的材料層、用于制作第一阻擋層的材料層和用于制作第二阻擋層的材料層；

通過(guò)構(gòu)圖工藝制得所述第一阻擋層和所述第二阻擋層；

通過(guò)構(gòu)圖工藝制得信號(hào)線。

較佳的，通過(guò)干法刻蝕構(gòu)圖工藝，對(duì)用于制作第一阻擋層的材料層和用于制作第二阻擋層的材料層進(jìn)行刻蝕，制得所述第一阻擋層和所述第二阻擋層，且在同一干法刻蝕條件下，用于制作所述第一阻擋層的材料的橫向刻蝕速度大于用于制作所述第二阻擋層的材料的橫向刻蝕速度。

較佳的，通過(guò)濕法刻蝕構(gòu)圖工藝，對(duì)用于制作所述信號(hào)線的材料層進(jìn)行刻蝕，制得信號(hào)線。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括基板、柵極和柵極絕緣層，其中，所述柵極為所述的信號(hào)線，所述薄膜晶體管還包括第一阻擋層和第二阻擋層；

所述柵極位于所述玻璃基板的上方；

所述第一阻擋層位于所述柵極上方；

所述第二阻擋層位于所述第一阻擋層的上方、柵極絕緣層的下方。

較佳的，所述第一阻擋層的材料為氧化硅；所述第二阻擋層的材料為氮化硅。

較佳的，所述柵極的寬度為2~2.5μm，且在此寬度范圍內(nèi)，能夠保證柵極不斷線。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，所述陣列基板包括所述的薄膜晶體管。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，所述顯示裝置包括所述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種信號(hào)線的制作方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，其中，所述方法包括在基板上依次沉積用于制作信號(hào)線的材料層、用于制作第一阻擋層的材料層和用于制作第二阻擋層的材料層；通過(guò)構(gòu)圖工藝制得第一阻擋層和第二阻擋層；通過(guò)構(gòu)圖工藝制得信號(hào)線；所述薄膜晶體管中，利用所述方法制作柵極，即所述信號(hào)線，不僅細(xì)化了柵極，縮小了柵極和源極、漏極的重合區(qū)域，同時(shí)，由于第一阻擋層和第二阻擋層的制作材料均為絕緣材料，形成的薄膜晶體管具有多層絕緣層結(jié)構(gòu)，通過(guò)進(jìn)一步設(shè)計(jì)各絕緣層的膜厚，能夠增大柵極電容，提高薄膜晶體管的傳輸速度，改善薄膜晶體管的溝道特性。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中在基板上制作柵極的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中在柵極上完成柵極絕緣層制作的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中在柵極絕緣層上完成源極、漏極和有源層的制作的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中在源極和漏極上完成鈍化層制作的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種信號(hào)線的制作方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中因柵極和源極、漏極存在一定重合而產(chǎn)生耦合電容的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種信號(hào)線的制作方法，所述方法包括：

在基板上依次沉積用于制作信號(hào)線的材料層、用于制作第一阻擋層的材料層和用于制作第二阻擋層的材料層；