[發明專利]信號線的制作方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310056045.6
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN103151253A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 閻長江;謝海征;陳磊;徐少穎;謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種信號線的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上依次沉積用于制作信號線的材料層、用于制作第一阻擋層的材料層和用于制作第二阻擋層的材料層；

通過構圖工藝制得所述第一阻擋層和所述第二阻擋層；

通過構圖工藝制得所述信號線。

2.如權利要求1所述方法，其特征在于，所述方法包括：

通過干法刻蝕構圖工藝，對用于制作第一阻擋層的材料層和用于制作第二阻擋層的材料層進行刻蝕，制得所述第一阻擋層和所述第二阻擋層，且在同一干法刻蝕條件下，用于制作所述第一阻擋層的材料的橫向刻蝕速度大于用于制作所述第二阻擋層的材料的橫向刻蝕速度。

3.如權利要求1所述方法，其特征在于，通過濕法刻蝕構圖工藝，對用于制作所述信號線的材料層進行刻蝕，制得信號線。

4.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括基板、柵極和柵極絕緣層，其特征在于，所述柵極為權利要求1至3中任一所述的信號線，所述薄膜晶體管還包括第一阻擋層和第二阻擋層；

所述柵極位于所述基板的上方；

所述第一阻擋層位于所述柵極上方；

所述第二阻擋層位于所述第一阻擋層的上方、柵極絕緣層的下方。

5.如權利要求4所述薄膜晶體管，其特征在于，所述第一阻擋層的材料為氧化硅。

6.如權利要求4所述薄膜晶體管，其特征在于，所述第二阻擋層的材料為氮化硅。

7.如權利要求4至6任一所述薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極的寬度為2~2.5μm。

8.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求4~7任一權項所述的薄膜晶體管。

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求8所述的陣列基板。