[發(fā)明專利]氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏電池和有機發(fā)光器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310055360.7
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN103258865A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸洙昊;金序炫;樸正佑;樸峻亨;樸兌正;白逸姬;劉泳祚;尹根尚;李鉉熙;崔殷豪
• 申請（專利權(quán)）人: 三星康寧精密素材株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

相關(guān)專利申請的交叉引用

本申請要求于2012年2月21日遞交的韓國專利申請第10-2012-0017479號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容為所有目的通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏電池和有機發(fā)光器件，更具體地，涉及具有高霧度值的氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏電池和有機發(fā)光器件。

背景技術(shù)

通常，透明氧化物薄膜用于光伏電池的透明電極或旨在根據(jù)它的電導(dǎo)率而提高光提取效率的光提取層。這里，在光伏電池的透明電極的表面和有機發(fā)光器件的光提取層上形成紋理，以便提高光學(xué)效率。

氧化鋅(ZnO)為用于氧化物薄膜的常見成分，所述氧化物薄膜形成光伏電池的透明電極和有機發(fā)光器件的光提取層。ZnO通過常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)形成為涂布在玻璃基板上的薄膜，因而形成用于光伏電池的透明電極或有機發(fā)光器件的光提取層，其中常壓化學(xué)氣相沉積由于例如其較快的濺射或涂布速率及高生產(chǎn)率而適于大規(guī)模生產(chǎn)。

然而，APCVD具有無法建立有機前體等的穩(wěn)定性和加工的問題。在濺射過程中，用厚的氧化物膜涂布玻璃基板，這轉(zhuǎn)而通過濕法蝕刻產(chǎn)生表面紋理。但是，這個工藝通常分成兩個步驟，且用于大規(guī)模生產(chǎn)的能力有限。

同時，當(dāng)其霧度值更高時，用于光伏電池或有機發(fā)光器件的氧化物薄膜呈現(xiàn)更好的光學(xué)效率。通過在氧化物薄膜的表面上形成的紋理確定霧度值。然而，在氧化物薄膜上使用簡單蝕刻的現(xiàn)有技術(shù)的方法在通過控制紋理的形狀而提高霧度值的方面能力有限。此外，當(dāng)氧化物薄膜用于光伏電池的透明電極時，在電極的光學(xué)特性和電學(xué)特性之間會顧此失彼(trade-off)。由于這個問題，對紋理形狀的控制具有許多困難。具體地，當(dāng)將氧化物薄膜用于光伏電池的透明電極時，氧化物薄膜霧度值的提高導(dǎo)致膜的薄層電阻(Ω/□)的提高，從而降低了氧化物薄膜的電學(xué)特性，這是有問題的。

本發(fā)明的背景部分中公開的信息僅用于增強對發(fā)明的背景的理解，并且不應(yīng)作為承認(rèn)或以任何形式建議這個信息形成本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的多個方面提供了具有高霧度值的氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏電池和有機發(fā)光器件。

本發(fā)明的一個方面中，提供了包括在它的表面上具有第一紋理的基底基板的氧化物薄膜基板；和形成在所述基底基板上的透明氧化物薄膜，所述透明氧化物薄膜在它的表面上具有第二紋理。

在示例性實施方式中，所述第一紋理可包括形成在所述基底基板表面上的多個第一突起物(projection)，和多個第二突起物，所述多個第二突起物中的至少一個第二突起物形成在所述多個第一突起物中的每個第一突起物的表面上。

所述基底基板的表面粗糙度(RMS)可在0.1μm至20μm的范圍內(nèi)。

所述第二突起物的寬度和高度可在0.1μm至1μm的范圍內(nèi)。

所述第二紋理可包括在所述透明氧化物薄膜的表面上形成的多個第三突起物和在包括所述多個第三突起物的表面的所述透明氧化物薄膜的整個表面上形成的多個第四突起物。

所述多個第三突起物中的每個可在對應(yīng)于所述第二突起物的位置上形成。

所述第三突起物的寬度可在0.1μm至5μm的范圍內(nèi)，所述多個第三突起物中相鄰的第三突起物之間的距離可在0μm至10μm的范圍內(nèi)，并且所述第三突起物的高度可在0.1μm至5μm的范圍內(nèi)。

所述第四突起物的寬度可在0.01μm至0.4μm的范圍內(nèi)，所述多個第四突起物中相鄰的第四突起物之間的距離可在0.01μm至0.4μm的范圍內(nèi)，并且所述第四突起物的高度可在0.01μm至0.5μm的范圍內(nèi)。

此外，所述透明氧化物薄膜的霧度值可在75%至86%的范圍內(nèi)。

此外，所述透明氧化物薄膜的薄層電阻可在49Ω/□至75Ω/□的范圍內(nèi)。

本發(fā)明的另一個方面中，提供了制造氧化物薄膜基板的方法。所述方法包括以下步驟：通過蝕刻所述基底基板的表面在所述基底基板的表面上形成第一紋理；和用透明氧化物薄膜涂布在其上形成所述第一紋理的所述基底基板的表面，從而在所述透明氧化物薄膜的表面上形成第二紋理。

在示例性實施方式中，在所述基底基板的表面上形成所述第一紋理的步驟可包括通過噴砂處理蝕刻所述基板的表面。

此外，用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板的表面的步驟可包括通過常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板。