[發明專利]氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏電池和有機發光器件無效
| 申請號: | 201310055360.7 | 申請日: | 2013-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN103258865A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 樸洙昊;金序炫;樸正佑;樸峻亨;樸兌正;白逸姬;劉泳祚;尹根尚;李鉉熙;崔殷豪 | 申請(專利權)人: | 三星康寧精密素材株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
| 地址: | 韓國慶*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化物 薄膜 制造 方法 包括 電池 有機 發光 器件 | ||
1.氧化物薄膜基板,包含:
在它的表面上具有第一紋理的基底基板;和
在所述基底基板上形成并且在它的表面上具有第二紋理的透明氧化物薄膜。
2.如權利要求1所述的氧化物薄膜基板,其中,所述第一紋理包含:
在所述基底基板表面上形成的多個第一突起物,和
多個第二突起物,所述多個第二突起物中的至少一個第二突起物在所述多個第一突起物中每個第一突起物的表面上形成。
3.如權利要求2所述的氧化物薄膜基板,其中,所述基底基板的表面粗糙度(RMS)在0.1μm至20μm的范圍內。
4.如權利要求2所述的氧化物薄膜基板,其中,所述第二突起物的寬度和高度在0.1μm至1μm的范圍內。
5.如權利要求2所述的氧化物薄膜基板,其中,所述第二紋理包含:
在所述透明氧化物薄膜的表面上形成的多個第三突起物;和
在包括所述多個第三突起物的表面的所述透明氧化物薄膜的整個表面上形成的多個第四突起物。
6.如權利要求5所述的氧化物薄膜基板,其中,所述多個第三突起物中的每個在對應于所述第二突起物的位置形成。
7.如權利要求6所述的氧化物薄膜基板,其中,所述第三突起物的寬度在0.1μm至5μm的范圍內,所述多個第三突起物中相鄰的第三突起物間的距離在0μm至10μm的范圍內,并且所述第三突起物的高度在0.1μm至5μm的范圍內。
8.如權利要求7所述的氧化物薄膜基板,其中,所述第四突起物的寬度在0.01μm至0.4μm的范圍內,所述多個第四突起物種相鄰的第四突起物間的距離在0.01μm至0.4μm的范圍內,并且所述第四突起物高度在0.01μm至0.5μm的范圍內。
9.如權利要求1所述的氧化物薄膜基板,其中,所述透明氧化物薄膜的霧度值在75%至86%的范圍內。
10.如權利要求1所述的氧化物薄膜基板,其中,所述透明氧化物薄膜的薄層電阻在49Ω/□至75Ω/□的范圍內。
11.一種制造氧化物薄膜基板的方法,包含:
通過蝕刻基底基板的表面在所述基底基板的表面上形成第一紋理;和
用透明氧化物薄膜涂布在其上形成所述第一紋理的所述基底基板的表面,從而在所述透明氧化物薄膜的表面上形成第二紋理。
12.如權利要求11所述的方法,其中,在所述基底基板的表面上形成所述第一紋理包含通過噴砂處理蝕刻所述基板的表面。
13.如權利要求11所述的方法,其中,用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板的表面包含通過常壓化學氣相沉積用所述透明氧化物薄膜涂布所述基底基板。
14.光伏電池,包含作為透明電極基板的如權利要求1所述的氧化物薄膜基板。
15.有機發光器件,包含作為光提取基板如權利要求1所述的氧化物薄膜基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





