[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201310055320.2
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN103364478A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 高橋朋宏;荒木浩之
• 申請（專利權）人: 大日本網屏制造株式會社
• 主分類號: G01N27/60
• 分類號: G01N27/60;G01N1/28
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 董雅會;郭曉東

技術領域

本發明涉及對半導體晶片、液晶顯示器用基板、等離子顯示器用基板、有機EL（電致發光）用基板、FED（Field?Emission?Display：場致發射顯示器）用基板、光顯示器用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩膜用基板、太陽能電池用基板等（下面僅稱為基板）進行處理的基板處理裝置，尤其涉及使基板浸漬在磷酸水溶液中來進行處理的技術。

背景技術

以往，作為這種裝置，存在如下的裝置：具有處理槽、泵、加熱器、過濾器，由上述結構構成循環路。處理槽貯存磷酸水溶液，在磷酸水溶液中浸漬基板來對基板進行處理。從處理槽排出的磷酸水溶液經油泵、加熱器、過濾器，再次返回處理槽中。在該循環路上設置有硅濃度計。硅濃度計基于透過磷酸水溶液的光，檢測特定波長的吸光度，由此測定硅濃度（例如，在日本特開2008-103678號公報中公開）。

這樣構成的基板處理裝置能夠測定在循環路中流動的磷酸水溶液中的硅濃度。另外，能夠基于上述測定結果調整磷酸水溶液的硅濃度。

對硅濃度的調整進行說明。在此，將如下的處理作為例子：針對形成有硅氧化膜以及硅氮化膜的基板，剩下硅氧化膜，選擇性地蝕刻硅氮化膜。在該情況下，硅濃度越高，硅氮化膜的蝕刻速度越小，在磷酸水溶液中顆粒變大，由此磷酸水溶液的壽命變短。另一方面，硅濃度越低，會超過需要蝕刻硅氧化膜（對于硅氮化膜的蝕刻選擇比降低）。因此，硅濃度調整為能夠抑制硅氮化膜的蝕刻速度降低并且能夠抑制蝕刻選擇比降低的規定的范圍內。

但是，在具有這樣的結構的以往的例子的情況下，存在如下的問題。

即，以往的裝置基于磷酸水溶液的吸光度來推定硅濃度，因此，硅濃度的測定結果的精度不那么高。另外，吸光度容易受到磷酸水溶液的溫度的影響，因此，磷酸水溶液的溫度變化越大，測定結果的精度越不穩定（波動）。

發明內容

本發明是基于這樣的問題而提出的，其目的在于提供，能夠高精度地測定磷酸水溶液中的硅濃度的基板處理裝置。

本發明人為了解決上述現有的技術問題而專心研究的結果，得到了如下的見解。

即，通過電位差測定法，能夠使磷酸水溶液中的硅濃度的測定精度提高。

該電位差測定法，在磷酸水溶液中加入試藥，使測定電極和參照電極分別與上述溶液接觸，來測定測定電極與參照電極的電位差，由此測定磷酸水溶液中的硅濃度。在此，加入有試藥的溶液不能再次返回循環路中。因此，在采用通過電位差測定法測定的濃度測定部的情況下，不能像現有技術那樣在循環路設置濃度測定部。另外，在采用通過電位差測定法測定的濃度測定部的情況下，從循環路抽出的磷酸水溶液的溫度降低，硅等可能在磷酸水溶液中析出。

基于上述的見解，本發明具有如下結構。

即，本發明為一種基板處理裝置，上述裝置包括：循環路，包括貯存磷酸水溶液的處理槽、輸送磷酸水溶液的循環泵、對磷酸水溶液進行加熱的循環用加熱器、對磷酸水溶液進行過濾的過濾器，使從上述處理槽排出的磷酸水溶液依次流過上述循環泵、上述循環用加熱器、上述過濾器，并且使磷酸水溶液從上述過濾器返回上述處理槽中；分支管，在上述循環用加熱器與上述過濾器之間從上述循環路分支，用于從上述循環路提取磷酸水溶液；濃度測定部，與上述分支管相連通連接，通過電位差測定法測定磷酸水溶液中的硅濃度。

根據本發明的基板處理裝置，具有通過電位差測定法進行測定的濃度測定部，因此能夠高精度地測定磷酸水溶液中的硅濃度。另外，具有分支管，因此從循環路輸送至濃度測定部的磷酸水溶液不返回循環路。因此，在濃度測定部中使用的試藥等不可能混入循環路中。而且，分支管在循環用加熱器與過濾器之間從循環路分支，因此能夠以溫度比較高的狀態抽出在循環路中流動的磷酸水溶液的一部分。因此，能夠抑制在所提取的磷酸水溶液中析出硅等。該結果，能夠使硅濃度的測定精度進一步提高。

此外，“上述循環用加熱器與上述過濾器之間”指，除了連通連接循環用加熱器和過濾器的管路之外，還包括循環用加熱器本身以及過濾器本身。因此，例如分支管與過濾器接合的狀態等也相當于“上述循環用加熱器與上述過濾器之間”。

在上述的發明中，優選基板處理裝置具有采樣用加熱器，該采樣用加熱器對從上述循環路中提取的磷酸水溶液進行加熱。具有采樣用加熱器，因此能夠可靠地抑制硅等在從循環路中提取的磷酸水溶液中析出。