[發明專利]發光二極管的形成方法

有效

• 申請號: 201310054892.9
• 申請日: 2010-01-13
• 公開（公告）號: CN103199160A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 陳怡名;徐子杰;陳吉興;王心盈
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本申請是申請日為2010年1月13日且發明名稱為“發光二極管的形成方法”的中國專利申請201010002188.5的分案申請。

技術領域

本發明涉及發光二極管的制造方法，特別是涉及利用犧牲層轉換發光二極管的基板的方法。

背景技術

發光二極管的外延薄膜通常是成長于GaAs基板上。由于GaAs基板會吸光，為了改善發光效率，已知的作法會在外延薄膜成長后，將合適的基板與外延薄膜的另一面貼合。之后，再用蝕刻方式將GaAs基板溶解。然而，溶解可再被利用的GaAs基板是相當浪費的作法，而且溶解后所殘留的As很容易造成環境的污染。

發明內容

本發明提供可使成長基板保留而重復使用的發光二極管制作方法。

于實施例，本發明提供一種發光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序形成犧牲層及外延層于成長基板上；形成多個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；形成支撐層于外延層上，支撐層具有一或數個支撐層開口穿透支撐層而連通一或數個外延層開口；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。

于另一實施例，本發明提供一種發光二極管的形成方法，包含提供成長基板，具有一或數個基板開口穿透成長基板；形成犧牲層于成長基板上；形成外延層于犧牲層上，外延層具有一或數個外延層開口穿透外延層；提供承接基板與外延層相接；以及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。

于更另一實施例，本發明提供一種發光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序成長犧牲層及外延層于成長基板上；提供支撐基板，支撐基板具有正面及背面，背面形成一或數個凹槽；將支撐基板的背面接合于外延層；從正面移除支撐基板的一部分以暴露至少一凹槽，并形成一或數個支撐基板開口穿透該支撐基板；以支撐基板為掩模，蝕刻外延層以形成一或數個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。

于再另一實施例，本發明提供一種發光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序成長犧牲層及外延層于成長基板上；提供支撐基板并使支撐基板與暫時基板接合；形成一或數個支撐基板開口穿透支撐基板；將支撐基板接合于外延層；移除暫時基板；以支撐基板為掩模，蝕刻外延層以形成一或數個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。

于再更另一實施例，本發明提供一種發光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序成長犧牲層及外延層于成長基板上；提供支撐基板；形成一或數個支撐基板開口穿透支撐基板；將支撐基板接合于外延層；以支撐基板為掩模，蝕刻該外延層以形成一或數個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。

本發明尚包含其他方面以解決其他問題并合并上述的各方面詳細披露于以下實施方式中。

附圖說明

圖1A及1A’至圖1E及1E’顯示依據本發明實施例的發光二極管190制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。

圖2A及2A’至圖2D及2D’顯示依據本發明實施例的發光二極管290制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。

圖3A及3A’至圖3F及3F’顯示依據本發明實施例發光二極管390制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。

圖4A及4A’至圖4E及4E’顯示依據本發明實施例發光二極管490制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。

圖5A及5A’至圖5E及5E’顯示依據本發明實施例發光二極管590制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。

附圖標記說明

100,200,300,400,500????????成長基板

201????????????????????????基板開口

202????????????????????????成長基板部分

120,220,320,420,520????????犧牲層

221????????????????????????犧牲層開口

222????????????????????????犧牲層部分

140,240,340,440,540????????外延層

190,290,390,490????????????發光二極管

141,141a,141b,141c,241,341,441,541??外延層開口

142,142a,142b,142c,242,342,442,542??外延層部分