[發明專利]發光二極管的形成方法有效
| 申請號： | 201310054892.9 | 申請日： | 2010-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN103199160A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 陳怡名;徐子杰;陳吉興;王心盈 | 申請（專利權）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 形成 方法 | ||
1.一種發光二極管的形成方法，包含：
提供成長基板，具有一或數個基板開口穿透該成長基板；
形成犧牲層于該成長基板上；
形成外延層于該犧牲層上；
提供承接基板與該外延層相接；以及
選擇性蝕刻該犧牲層而使該成長基板脫離該外延層。
2.如權利要求1所述的發光二極管的形成方法，其中該一或數個基板開口四周的成長基板相互連接。
3.如權利要求1所述的發光二極管的形成方法，其中形成該犧牲層的該步驟包含使該犧牲層具有一或數個犧牲層開口穿透該犧牲層而連通該一或數個基板開口。
4.如權利要求3所述的發光二極管的形成方法，其中該犧牲層開口四周的犧牲層相互連接。
5.如權利要求3所述的發光二極管的形成方法，其中選擇性蝕刻該犧牲層的該步驟包含使蝕刻劑經由該一或數個基板開口與該一或數個犧牲層開口接觸該犧牲層。
6.如權利要求5所述的發光二極管的形成方法，其中該成長基板包含氮、鋁、鎵、砷、鋅、硅、氧中至少其一；該犧牲層包含鋁、砷中至少其一；該承接基板包含玻璃、金屬、半導體材料、塑膠、陶瓷中至少其一；且該蝕刻劑包含檸檬酸。
7.如權利要求1所述的發光二極管的形成方法，更包含移除部分外延層。
8.如權利要求7所述的發光二極管的形成方法，其中該外延層被移除的部分與該一或數個犧牲層開口相接。
9.如權利要求7所述的發光二極管的形成方法，其中移除部分外延層的步驟使得該犧牲層露出。
10.如權利要求7所述的發光二極管的形成方法，其中移除部分外延層的步驟包含形成陣列式排列、或隨機分布的開口。
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