[發明專利]一種電阻測試方法

有效

• 申請號: 201310054770.X
• 申請日: 2013-02-20
• 公開（公告）號: CN103134990A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 沈茜;莫保章;婁曉祺
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01R27/08
• 分類號: G01R27/08
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發明涉及一種微電子測試領域，尤其涉及一種電阻測試方法。

背景技術

隨著半導體領域技術的不斷進步，為了在生產過程中保證晶圓的良品率及時了解生產情況，需要對硅片的電阻值進行測試，并將檢測得的電阻值通過WAT（Wafer?Acceptance?Test,晶圓接收測試）Alg平臺進行輸出和保存，便于技術人員對硅片的生產進行控制，以確保晶圓在生產中的良品率。

中國專利（申請號：201210273406.8）公開了一種電阻測試方法，其中，所述方法包括下述步驟：將測試機的四個測試端分別與待測電阻的四個測試端連接，其中測試機第一測試端與第二測試端在待測電阻的同一側相連，測試機第三、第四測試端在待測電阻的另一側相連；分別測試測試機四個測試端之間的部分或全部電阻值，根據所述測試機四個測試端之間的部分或全部電阻值，計算待測電阻的阻值。但是該發明只公開了減少電阻在測試過程中減少誤差的問題，檢測設備的成本較高，同時在測試電阻的實際操作過程中還是比較繁瑣。

此外，中國專利（申請號：200910151805.5）公開了一種以軌跡模型實現晶片允收測試先進工藝控制的系統與方法，包括：在處理中的多個晶片批次上實行一金屬層間晶片允收測試；使用一批次取樣程序自所述多個晶片批次中選取一晶片批次子集合；通過該晶片批次子集合選取一組取樣晶片，該組取樣晶片在實行所述金屬層間晶片允收測試后提供金屬層間晶片允收測試數據；根據該組取樣晶片提供的所述金屬層間晶片允收測試數據，估算處理中的所述多個晶片批次的所有晶片的末端晶片允收測試數據；以及提供所述估算得到的所述末端晶片允收測試數據供一晶片允收測試先進工藝控制程序控制一微調程序或一先進工藝控制程序。該發明公開了晶片選擇測試的方法，但是沒有具體涉及到電阻的測試方法，而在生產過程中，為了保證晶圓的正常生產，對電阻的測試必不可少。

現有技術中對電阻進行測試主要采取單個測試的方法，每個待測電阻都需要連接兩個測試pad，在電路施加電流需要測出pad的電壓，計算其差值的絕對值再除以電流從而得出待測電阻的電阻值，該方法在實際操作過程中比較繁瑣，每個電阻都需要匹配有2個單獨的測試pad，同時還要在每個電阻測試電路中施加電流并對進行測試，測試效率較低。

圖1為現有技術WAT測試電阻的示意圖，1-6為測試pad，R為測試電阻，根據圖示可得知，每個單側電阻R都單獨連接兩個pad，且每個測試電路又相互獨立，如圖所示：pad1和pad2與R1連接，同時pad3和pad4與R2連接，pad5和pad6與R3連接......以此類推，pad_2n-1和pad_2n與R_n連接。在現有技術的測試中，需要分別測量電流I和待測電阻兩端pad的電壓，并通過我們的WAT測試Alg平臺計算出當次測試的電阻值。例如，使用該方法對電阻進行測試的計算公式為：

R1=|U2-U1I|,]]>

以此類推：

R2=|U4-U3I|;]]>