[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201310053571.7
• 申請日: 2008-12-03
• 公開（公告）號: CN103151325A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 征矢野伸;上柳勝道
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

本申請是發明名稱為“半導體器件”、申請號為200810184311.2、申請日為2008年12月3日的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件。特別地，本發明涉及一種包括封裝在樹脂外殼中的半導體元件的半導體器件。

背景技術

在諸如逆變裝置、不間斷電源、加工工具或工業機器人之類的裝置中，將包括安裝于其中的功率半導體元件的半導體器件（通用模塊）獨立于該裝置主體使用。這樣的半導體器件具有一種功率半導體元件被密封（封裝）于樹脂外殼中的結構（例如參見專利文獻1和2）。

接線端子（引線框）一般用于這樣的半導體器件的內引線（參見專利文獻3）。

例如，圖11是示出包括密封在樹脂外殼中的功率半導體元件的半導體器件的主要部分的示意圖。圖11示出通過使用接線端子內接線的半導體器件的示例。

如圖11所示，該半導體器件包括設置在樹脂外殼400中的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）元件100。這里提到的IGBT元件100是具有設置在其上表面中的發射極電極和設置在其下表面中的集電極電極的垂直功率半導體元件。IGBT元件100的發射極電極和布線襯底200通過接線端子600彼此導電連接。IGBT元件100的集電極電極直接導電連接到布線襯底200。

發射極電極和布線襯底200一般通過焊接、超聲焊接、激光焊接等經接線端子600相互接合。

[專利文獻1]JP-A-6-045518

[專利文獻2]JP-A-2002-368192

[專利文獻3]JP-A-2005-064441

然而在上述半導體器件中，存在的問題是不可能容易地改變接線端子600的布局。

發明內容

考慮到這一點開發了本發明。本發明的目的是提供包括封裝在樹脂外殼中的半導體元件及其中有可能容易地改變至少一接線端子的布局的半導體器件。

為了解決上述問題，根據本發明一方面，提供一種半導體器件，包括：固定支撐在樹脂外殼中的多個外部連接端子；封裝在該樹脂外殼中的至少一個半導體元件；以及設置有至少一個接線端子——該半導體元件通過它電連接到外部連接端子——的至少一個端子塊。

根據上述配置，有可能實現設置有封裝在樹脂外殼中的半導體元件以及接線端子的布局可容易地改變的半導體器件。

附圖說明

圖1A和1B是根據本發明第一實施例的半導體器件的主要部分的示意圖；

圖2是用于說明半導體器件的效果的半導體器件的主要部分的示意圖（部分1）；

圖3是用于說明半導體器件的效果的半導體器件的主要部分的示意圖（部分2）；

圖4是用于說明半導體器件的效果的半導體器件的主要部分的示意圖（部分3）；

圖5是用于說明半導體器件的效果的半導體器件的主要部分的示意圖（部分4）；

圖6是用于說明半導體器件的效果的半導體器件的主要部分的示意圖（部分5）；

圖7是用于說明半導體器件的效果的半導體器件的主要部分的示意圖（部分6）；

圖8是根據第一實施例的半導體器件的變體的主要部分的示意圖；

圖9A和9B是根據本發明第二實施例的半導體器件的主要部分的示意圖；

圖10A和10B是根據本發明第三實施例的半導體器件的主要部分的示意圖；以及

圖11是根據其中功率半導體元件密封在樹脂外殼中的背景技術的半導體器件的主要部分的示意圖。

具體實施方式

下文將參考附圖具體描述關于半導體器件的本發明各實施例。

<第一實施例>

圖1A和1B是示出根據本發明第一實施例的半導體器件的主要部分的示意圖。圖1A示出該半導體器件的俯視示意圖。圖1B示出該半導體器件沿圖1A的虛線X-X所取并從箭頭方向觀看的截面圖。此外，圖1A和1B示出對應于逆變器電路一相的半導體模塊的示例。

圖1A和1B所示的半導體器件1具有作為襯底的毫米量級厚度的金屬基板。各個絕緣襯底20通過無引線錫銀（錫－銀）類焊料層（未示出）接合和安裝到金屬基板10上。作為功率半導體元件的IGBT元件30a和30b及FWD元件31a和31b分別安裝在絕緣襯底20的上層上。半導體器件1還具有封裝有上述半導體元件的樹脂外殼40等，以使半導體器件1可擔當所謂的通用IGBT模塊（功率模塊）。