[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310052061.8
• 申請日: 2013-02-17
• 公開（公告）號: CN103247734A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 神谷真央;柏本啟佑;齋藤仁美;野田尚伸
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;賈萌

技術領域

本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光器件。更具體地，本發(fā)明涉及一種具有提高的發(fā)光量的半導體發(fā)光器件。

背景技術

在半導體發(fā)光器件中，優(yōu)選的是發(fā)光層的發(fā)光表面上的亮度分布是均勻的。當半導體層的發(fā)光表面上的電流密度不均勻時，在大電流流動的地方劣化發(fā)展迅速。而且，在發(fā)光表面上的電流密度越均勻，從半導體發(fā)光器件發(fā)射的光變得越亮。

因此，已經開發(fā)了使發(fā)光表面上的亮度均勻的技術。例如，專利文獻1公開了一種半導體發(fā)光器件，其包括具有布置在芯片表面的相等間隔處的線性部分的電極（參考專利文獻1的[0050]段和圖2）。電極形成在芯片表面的整個面積上。相應地，形成了在彼此相對的線性電極之間平行地發(fā)光的多個發(fā)光部分，并且從而半導體發(fā)光器件的發(fā)光表面能夠均勻地發(fā)光（參考專利文獻1的[0052]段）。

而且，還公開了其中設置了用于向電極饋送電力的多個饋電器的半導體發(fā)光器件（參考專利文獻1的圖23和圖24）。

專利文獻1：JP-A-2002-319705

發(fā)明內容

然而，即使當如上所述布置電極和饋電器時，仍留下了發(fā)光表面在其中心附近最亮的事實。原因在于電流易于集中在中心附近。也就是說，電流密度在發(fā)光表面的中心附近較大。

做出了本發(fā)明來解決上面的問題，其目的是提供一種發(fā)光量在發(fā)光表面上均勻的半導體發(fā)光器件。

根據(jù)第一方面的半導體發(fā)光器件，包括：第一導電型半導體層；發(fā)光層；第二導電型半導體層；第一極性的導電部分，其電氣連接到第一導電型半導體層；以及第二極性的導電部分，其電氣連接到第二導電型半導體層。第一極性的導電部分和第二極性的導電部分中的至少之一包括布置在發(fā)光表面上的多個分開的電極部分。分開的電極部分的位置較靠近發(fā)光表面的中心點，分開的電極部分被稀疏地設置，分開的電極部分的位置較遠離發(fā)光表面的中心點，分開的電極部分被密集地設置。

第一導電型半導體層為p-型半導體層或n-型半導體層。第二導電型半導體層為p-型半導體層或n-型半導體層，但是為具有不同于第一導電型半導體層的導電類型的半導體層。第一極性為正極或負極。第二極性為不同于第一極性的正極或負極。導電部分包括點電極、布線和平頭電極。

在半導體發(fā)光器件中，饋電的分開的電極部分與中心部分相比更多地布置在發(fā)光表面的周圍部分。因此，與傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件比較，電流更易于在發(fā)光表面的周圍部分流動。從而，與傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件的發(fā)光強度分布比較，在半導體發(fā)光器件的發(fā)光表面上的發(fā)光強度分布更加均勻。

在根據(jù)第二方面的半導體發(fā)光器件中，多個分開的電極部分包括：第一分開的電極部分；以及第二分開的電極部分，第二分開的電極部分位于比第一分開的電極部分更遠離中心點的位置處。第二分開的電極部分包括具有小于第一分開的電極部分的第一最近電極間距離的第二最近電極間距離的電極部分。最近電極間距離為分開的電極部分和最靠近分開的電極部分的第一極性的導電部分或最靠近分開的電極部分的第二極性的導電部分之間的距離。相應地，與傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件比較，留下了電流更易于在在發(fā)光表面的周圍部分流動的事實。因此，與傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件的發(fā)光強度分布比較，在半導體發(fā)光器件的發(fā)光表面上的發(fā)光強度分布更加均勻。

在根據(jù)第三方面的半導體發(fā)光器件中，最近電極間距離是第一極性的分開的電極部分和第二極性的導電部分之間的距離。由于第一極性的分開的電極部分和第二極性的導電部分（其包括分開的電極部分、布線、平頭電極等）之間的距離在周圍部分較窄，所以與傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件的發(fā)光強度分布比較，在半導體發(fā)光器件的發(fā)光表面上的發(fā)光強度分布更加均勻。

在根據(jù)第四方面的半導體發(fā)光器件中，第一極性的導電部分和第二極性的導電部分中的每一個均包括多個分開的電極部分。最近電極間距離為第一極性的導電部分的分開的電極部分和第二極性的導電部分的分開的電極部分之間的距離。由于第一極性的分開的電極部分和第二極性的分開的電極部分之間的距離在周圍部分較窄，因此與傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件的發(fā)光強度分布比較，在半導體發(fā)光器件的發(fā)光表面上的發(fā)光強度分布更加均勻。

在根據(jù)第五方面的半導體發(fā)光器件中，僅第一極性的導電部分包括多個分開的電極部分。最近電極間距離為第一極性的導電部分的分開的電極部分和第二極性的導電部分之間的距離。在這種情況下，第二極性的導電部分不具有分開的電極部分。因此，第一極性的分開的電極部分和第二極性的導電部分（其包括布線、平頭電極等）之間的距離在周圍部分較窄。因此，與傳統(tǒng)的半導體發(fā)光器件的發(fā)光強度分布比較，在半導體發(fā)光器件的發(fā)光表面上分布的發(fā)光強度更加均勻。