[發(fā)明專利]具有額外漏極OD增加的高壓漏極延伸MOSFET

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310051885.3
• 申請(qǐng)日: 2013-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN103840001A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳奕升;朱振樑;蕭世匡;陳斐筠;鄭光茗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種集成電路，包括：

具有第一摻雜類型的高壓阱；

嵌入所述高壓阱中的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有第二摻雜類型并且通過所述高壓阱中的溝道間隔開；

形成在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)中的源極/漏極區(qū)，每個(gè)所述源極/漏極區(qū)都具有所述第二摻雜類型并且比所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)更重度地?fù)诫s；

第一隔離區(qū)，每個(gè)所述第一隔離區(qū)都與每個(gè)所述源極/漏極區(qū)間隔開；以及

位于所述高壓阱上方的電阻保護(hù)氧化物，所述電阻保護(hù)氧化物圍繞每個(gè)所述源極/漏極區(qū)形成環(huán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述電阻保護(hù)氧化物位于設(shè)置在所述源極/漏極區(qū)和所述隔離區(qū)之間的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述電阻保護(hù)氧化物的一部分設(shè)置在所述源極/漏極區(qū)的與所述溝道相對(duì)的一側(cè)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，每個(gè)所述環(huán)的一部分位于形成在所述溝道上方的柵極結(jié)構(gòu)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述電阻保護(hù)氧化物部分地覆蓋所述第一隔離區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述電阻保護(hù)氧化物的端部處于與所述源極/漏極區(qū)的端部垂直對(duì)準(zhǔn)和部分地覆蓋所述源極/漏極區(qū)的端部中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，從所述第一隔離區(qū)的邊緣到所述源極/漏極區(qū)的邊緣的第一距離是從多晶硅柵極的端部到所述電阻保護(hù)氧化物的終端的第二距離的約0.5至約1.5倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，第二隔離區(qū)通過第三摻雜區(qū)與所述第一隔離區(qū)間隔開，所述第三摻雜區(qū)具有所述第一摻雜類型并且比所述高壓阱更重度地?fù)诫s。

9.一種集成電路，包括：

具有第一摻雜類型的高壓阱；

嵌入所述高壓阱中的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有第二摻雜類型并且通過所述高壓阱中的溝道間隔開；

形成在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)中的源極/漏極區(qū)，每個(gè)所述源極/漏極區(qū)都具有所述第二摻雜類型并且比所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)更重度地?fù)诫s；

隔離區(qū)，每個(gè)所述隔離區(qū)都與每個(gè)所述源極/漏極區(qū)間隔開；以及

形成窗口的電阻保護(hù)氧化物，所述窗口處于與每個(gè)所述源極/漏極區(qū)對(duì)準(zhǔn)和部分地覆蓋每個(gè)所述源極/漏極區(qū)中的至少一種。

10.一種形成集成電路的方法，包括：

形成具有第一摻雜類型的高壓阱；

在所述高壓阱中注入形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有第二摻雜類型并且通過所述高壓阱中的溝道間隔開；

在所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)中形成源極/漏極區(qū)，每個(gè)所述源極/漏極區(qū)都具有所述第二摻雜類型并且比所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)更重度地?fù)诫s；

形成第一隔離區(qū)，所述第一隔離區(qū)與每個(gè)所述源極/漏極區(qū)間隔開；以及

圍繞每個(gè)所述源極/漏極區(qū)形成電阻保護(hù)氧化物的環(huán)。