[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201310049759.4
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN103680615B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 沈貞云;鄭成在;金眞求;李東奐;金承源;李修旻
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

本發明公開了一種半導體存儲器件及其操作方法，所述半導體存儲器件包括：存儲塊，所述存儲塊被配置成包括與字線耦合的存儲器單元；以及外圍電路，所述外圍電路被配置成對與從字線中選中的字線耦合的存儲器單元執行第一編程操作、編程驗證操作和第二編程驗證操作，并且在第一編程操作和第二編程操作中將具有不同電平的編程允許電壓提供至位于編程禁止單元之間的編程允許單元的選中的位線。

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年8月30日提交的韓國專利申請No.10-2012-0095644的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及一種包括存儲器單元的半導體存儲器件及其操作方法。

背景技術

隨著存儲器陣列的尺寸減小，存儲器單元之間的間距變得越來越小。因此，在半導體存儲器件內部產生異常特性。例如，由于相鄰單元的鄰近，當執行用于將數據儲存在存儲器單元中的編程操作時，可能出現相鄰存儲器單元之間的干擾。結果，產生錯誤并且半導體存儲器件的可靠性惡化。

因此，需要將單元之間的干擾現象最小化的存儲器。

發明內容

本發明的實施例提供一種半導體存儲器件。根據本發明的一些實施例的半導體存儲器件包括：存儲塊，所述存儲塊被配置成包括與字線耦合的存儲器單元；以及外圍電路，所述外圍電路被配置為對與從所述字線中選中的字線耦合的存儲器單元執行包括第一編程操作和編程驗證操作的第一編程循環以及包括第二編程操作和編程驗證操作的第二編程循環，并且在所述第一編程循環和所述第二編程循環期間將具有不同電平的編程允許電壓提供至位于編程禁止單元之間的編程允許單元的選中的位線。

根據本發明的一些實施例的操作半導體存儲器件的方法包括：操作第一編程循環，第一編程循環包括：執行第一編程操作，所述第一編程操作包括將編程禁止電壓提供至編程禁止單元的未選中的位線，所述編程禁止單元是與選中的字線耦合的未選中的存儲器單元，將第一編程允許電壓提供至編程允許單元的選中的位線，所述編程允許單元是與選中的字線耦合的選中的存儲器單元，以及將編程電壓提供至選中的字線，以及對存儲器單元執行編程驗證操作；以及在編程電壓超過閾值電壓之后操作第二編程循環，所述第二編程循環包括：執行第二編程操作，所述第二編程操作包括將所述編程禁止電壓提供至未選中的位線、將第二編程允許電壓提供至選中的位線、將編程電壓提供至選中的字線，以及執行編程驗證，其中所述第二編程允許電壓是所述第一編程允許電壓與所述編程禁止電壓之間的電壓。

根據本發明的半導體存儲器件的一些實施例可以增強操作特性和可靠性。下文參照附圖進一步描述這些和其它實施例。

附圖說明

當結合附圖參照如下的詳細描述時，本發明的上述和其它特征和優點將變得明顯。

圖1示出根據本發明的一些示例性實施例的半導體存儲器件。

圖2示出圖1所示的半導體存儲器件的存儲器陣列。

圖3示出根據本發明的一些實施例的圖1所示的半導體存儲器件的頁緩沖器。

圖4示出儲存在圖2所示的存儲陣列的存儲器單元中的數據的閾值電壓分布。

圖5A和圖5B示出根據本發明的一些實施例的操作半導體存儲器件的方法。

圖6示出說明根據本發明的一些實施例的操作半導體存儲器件的方法的流程圖。

圖7A和圖7B示出根據本發明的一些實施例的半導體存儲器件的操作。

圖8示意性地示出根據本發明的一些實施例的存儲系統的框圖。

圖9示意性地示出根據一些實施例的用于執行編程操作的融合式存儲器件或融合式存儲系統。