[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201310049759.4
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN103680615B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 沈貞云;鄭成在;金眞求;李東奐;金承源;李修旻
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種操作半導體存儲器件的方法，所述方法包括以下步驟：

操作第一編程循環，所述第一編程循環包括：

執行第一編程操作，所述第一編程操作包括：

將編程禁止電壓提供至編程禁止單元的未選中的位線，所述編程禁止單元是與選中的字線耦合的未選中的存儲器單元，

將第一編程允許電壓提供至編程允許單元的選中的位線，所述編程允許單元是與所述選中的字線耦合的選中的存儲器單元，以及

將編程電壓提供至所述選中的字線，以及

對所述存儲器單元執行編程驗證操作；以及

操作第二編程循環，所述第二編程循環包括：

執行第二編程操作，所述第二編程操作包括：

將所述編程禁止電壓提供至所述未選中的位線，

將第二編程允許電壓提供至所述選中的位線，

將所述編程電壓提供至所述選中的字線，以及

執行所述編程驗證，

其中，所述第二編程允許電壓是所述第一編程允許電壓與所述編程禁止電壓之間的電壓，

其中，在所述第二編程循環重復地執行了允許的次數之后，再次執行所述第一編程循環，

其中，基于提供至所述選中的字線的編程電壓，所述第一編程允許電壓和所述第二編程允許電壓中的一種被提供至所述選中的位線，以及

其中，每當重復所述第一編程循環時，所述編程電壓增加第一步進電壓，每當重復所述第二編程循環時，所述編程電壓增加第二步進電壓，所述第二步進電壓比所述第一步進電壓高。

2.如權利要求1所述的方法，其中，在所述編程電壓低于參考電壓的情況下，重復所述第一編程循環，在所述編程電壓高于所述參考電壓的情況下，執行所述第二編程循環。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一編程允許電壓包括接地電壓。

4.如權利要求1所述的方法，其中，在將LSB數據儲存在所述存儲器單元中的操作中執行所述第一編程循環，在將MSB數據儲存在所述存儲器單元中的操作中執行所述第二編程循環。

5.如權利要求4所述的方法，其中，在儲存所述MSB數據的操作中，在所述第二編程循環重復地執行了允許的次數之后，再次執行所述第一編程循環。

6.如權利要求1所述的方法，其中，在將所述存儲器單元的閾值電壓增加到比擦除電平、第一編程電平和第二編程電平更高的第三編程電平的操作中，再次執行所述第二編程循環。

7.如權利要求6所述的方法，其中，在將所述存儲器單元的閾值電壓增加到所述第三編程電平的操作中，在所述第二編程循環重復地執行了允許的次數之后，再次執行所述第一編程循環。

8.一種半導體存儲器件，包括：

存儲塊，所述存儲塊被配置成包括與字線耦合的存儲器單元；以及

外圍電路，所述外圍電路被配置成對與從所述字線中選中的字線耦合的存儲器單元執行包括第一編程操作和編程驗證操作的第一編程循環以及a包括第二編程操作和所述編程驗證操作的第二編程循環，并且在所述第一編程循環和所述第二編程循環期間將具有不同電平的編程允許電壓提供至位于編程禁止單元之間的編程允許單元的選中的位線，

其中，在所述第二編程循環重復地執行了允許的次數之后，所述外圍電路重復所述第一編程循環，

其中，基于提供至所述選中的字線的編程電壓，所述編程允許電壓中的一種被提供至所述選中的位線，以及

其中，每當重復所述第一編程循環時，所述外圍電路將提供給所述選中的字線的編程電壓增加第一步進電壓，每當重復所述第二編程循環時，所述外圍電路將所述編程電壓增加第二步進電壓，所述第二步進電壓比所述第一步進電壓高。

9.如權利要求8所述的半導體存儲器件，其中，在所述編程電壓低于參考電壓的情況下，所述外圍電路重復所述第一編程循環，在所述編程電壓高于所述參考電壓的情況下，所述外圍電路執行所述第二編程循環。