[發明專利]一種高壓LDMOS器件

有效

• 申請號: 201310049146.0
• 申請日: 2013-02-07
• 公開（公告）號: CN103094350A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 郭宇鋒;徐光明;花婷婷;黃示;張長春;夏曉娟
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 朱小兵

1.一種高壓LDMOS?器件，包括第一導電類型半導體襯底（1）、位于第一導電類型半導體襯底（1）上方的第二導電類型半導體漂移區（2）以及位于第二導電類型半導體漂移區（2）上方的高壓LDMOS器件表面層；其中，在第二導電類型半導體漂移區（2）頂部一側具有第二導電類型半導體漏區（10），在第二導電類型半導體漂移區（2）頂部另一側具有第一導電類型半導體體區（6），在第一導電類型半導體體區（6）中具有第二導電類型半導體源區（11）和第一導電類型半導體體接觸區（12）；

所述高壓LDMOS器件表面層由場氧化層（7）、柵氧化層（8）、源極金屬（14）、漏極金屬（15）組成，其中，漏極金屬（15）與第二導電類型半導體漏區（10）接觸，源極金屬（14）分別與第二導電類型半導體源區（11）和第一導電類型半導體體接觸區（12）接觸，第一導電類型半導體體區（6）與柵氧化層（8）接觸，柵氧化層（8）表面是柵極（9），第二導電類型半導體漂移區（2）分別與場氧化層（7）、柵氧化層（8）接觸，其特征在于，第二導電類型半導體漂移區（2）內部還具有n個與場氧化層（7）相接觸的第一導電類型半導體降場層（3），在每個第一導電類型半導體降場層（3）靠近第二導電類型半導體源區（11）一側具有與降場層（3）相連或重合的第一導電類型半導體重摻雜區（13）；n為大于0的自然數。

2.根據權利要求1所述的一種高壓LDMOS?器件，其特征在于，所述第二導電類型半導體漂移區（2）是直接在半導體襯底（1）的上表面外延形成，或者先在半導體襯底（1）上面制作埋氧層（4），然后在埋氧層（4）上面外延形成。

3.根據權利要求1或2所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述第一導電類型半導體降場層（3）的濃度分布是均勻分布或橫向線性摻雜分布；當濃度分布是橫向線性摻雜分布時，摻雜濃度自第二導電類型半導體源區（11）一側至第二導電類型半導體漏區（10）一側逐漸降低。

4.根據權利要求3所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述第二導電類型半導體漂移區（2）的材料是硅、碳化硅、砷化鎵或鍺硅。