[發明專利]像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201310048763.9
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN103543566A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 陳建翰;王志誠;陳世芳
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種電子結構及其制造方法，特別是涉及一種像素結構及其制造方法。

背景技術

現今社會多媒體技術相當發達，多半受惠于半導體組件與顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。為了讓液晶顯示器有更好的顯示質量，目前市面上已發展出了各種廣視角的液晶顯示器，常見的例如有共平面切換式（in-plane?switching,IPS）液晶顯示器、多域垂直配向式（multi-domain?vertically?alignment,MVA）液晶顯示器與邊緣電場切換式（fringe?field?switching,FFS）液晶顯示器等。

以邊緣電場切換式的顯示器而言，是讓電場平行于基板，并使液晶分子在平行于基板的方向上旋轉以產生灰階。邊緣電場切換式與共平面切換式的不同點就在于電極的排列方式不同。共平面切換式的像素電極與共享電極是在同一平面上，而邊緣電場切換式的像素電極與共享電極則在不同的平面上，但兩者其中之一采用間隔配置的方式，以使電場從間隔通過。

然而，現有的邊緣電場切換式顯示器的像素結構中，大多設置底柵極（bottom?gate）式薄膜晶體管，其通常需要六道圖案化工藝才能完成像素結構的制作。

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的像素結構存在的缺陷，而提供一種新型結構的像素結構，所要解決的技術問題是使其成本更低，從而更加適于實用。

本發明的另一目的在于，克服現有的像素結構制造方法存在的缺陷，而提供一種新的制造方法，所要解決的技術問題是利用透明導電層同時制作柵極以及共享電極，以簡化工藝，從而更加適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的像素結構，其包括：第一圖案化透明導電層，配置于基板上，該第一圖案化透明導電層包括源極、漏極以及連接至該漏極的像素電極；主動層，連接該源極以及該漏極；絕緣層，覆蓋該源極、該漏極以及該主動層；以及第二圖案化透明導電層，配置于該絕緣層上，該第二圖案化透明導電層包括配置于該主動層上方的柵極以及配置于該像素電極上方的共享電極。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的像素結構，其中該第一圖案化透明導電層還包括數據線，該第二圖案化透明導電層還包括掃描線，該數據線與該源極電性連接，且該掃描線與該柵極電性連接。

前述的像素結構，其中該主動層覆蓋至少部分該源極以及至少部分該漏極。

前述的像素結構，其中該主動層的材質包括金屬氧化物半導體。

前述的像素結構，其中該金屬氧化物半導體包括氧化銦鎵鋅、氧化錫、氧化鋁或其組合。

前述的像素結構，其中該像素結構還包括紫外光阻擋層，配置于該基板以及該主動層之間。

前述的像素結構，其中該紫外光阻擋層的材質包括硅氧烷樹脂、丙烯酸樹脂或其組合。

前述的像素結構，其中該像素結構還包括保護層，該保護層覆蓋該第二圖案化透明導電層以及部分該絕緣層。

前述的像素結構，其中該保護層包括氧化物層以及氮化物層，且該氧化物層位于該絕緣層以及該氮化物層之間，且位于該第二圖案化透明導電層與該氮化物層之間。

前述的像素結構，其中該共享電極包括：連接部；以及多個間隔排列的條狀電極，與該連接部連接，所述條狀電極位于該像素電極上方，其中該像素電極與所述條狀電極之間所產生的部分電場穿透相鄰二該條狀電極之間的間隙。

本發明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現。依據本發明提出的像素結構的制造方法，其包括：于基板上形成第一透明導電層；圖案化該第一透明導電層，以形成源極、漏極以及與該漏極連接的像素電極；形成主動層，并使該主動層連接該源極與該漏極；形成絕緣層，并使該絕緣層覆蓋該主動層及該像素電極；于該絕緣層上形成第二透明導電層；以及圖案化該第二透明導電層，以形成位于該主動層上方的柵極以及位于該像素電極上方的共享電極。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的像素結構的制造方法，其中圖案化該第一透明導電層的步驟還包括形成數據線，且使該源極與該數據線電性連接。

前述的像素結構的制造方法，其中圖案化該第二透明導電層的步驟還包括形成掃描線，且使該柵極與該掃描線電性連接。

前述的像素結構的制造方法，其中該主動層的材質包括金屬氧化物半導體。