[發明專利]像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201310048763.9
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN103543566A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 陳建翰;王志誠;陳世芳
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種像素結構，其特征在于其包括：

第一圖案化透明導電層，配置于基板上，該第一圖案化透明導電層包括源極、漏極以及連接至該漏極的像素電極；

主動層，連接該源極以及該漏極；

絕緣層，覆蓋該源極、該漏極以及該主動層；以及

第二圖案化透明導電層，配置于該絕緣層上，該第二圖案化透明導電層包括配置于該主動層上方的柵極以及配置于該像素電極上方的共享電極。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于該第一圖案化透明導電層還包括數據線，該第二圖案化透明導電層還包括掃描線，該數據線與該源極電性連接，且該掃描線與該柵極電性連接。

3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于該主動層覆蓋至少部分該源極以及至少部分該漏極。

4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于該主動層的材質包括金屬氧化物半導體。

5.根據權利要求4所述的像素結構，其特征在于該金屬氧化物半導體包括氧化銦鎵鋅、氧化錫、氧化鋁或其組合。

6.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于該像素結構還包括紫外光阻擋層，配置于該基板以及該主動層之間。

7.根據權利要求6所述的像素結構，其特征在于該紫外光阻擋層的材質包括硅氧烷樹脂、丙烯酸樹脂或其組合。

8.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于該像素結構還包括保護層，該保護層覆蓋該第二圖案化透明導電層以及部分該絕緣層。

9.根據權利要求8所述的像素結構，其特征在于該保護層包括氧化物層以及氮化物層，且該氧化物層位于該絕緣層以及該氮化物層之間，且位于該第二圖案化透明導電層與該氮化物層之間。

10.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于該共享電極包括：

連接部；以及

多個間隔排列的條狀電極，與該連接部連接，該多個條狀電極位于該像素電極上方，其中該像素電極與該多個條狀電極之間所產生的部分電場穿透相鄰二該條狀電極之間的間隙。

11.一種像素結構的制造方法，其特征在于其包括：

于基板上形成第一透明導電層；

圖案化該第一透明導電層，以形成源極、漏極以及與該漏極連接的像素電極；

形成主動層，并使該主動層連接該源極與該漏極；

形成絕緣層，并使該絕緣層覆蓋該主動層及該像素電極；

于該絕緣層上形成第二透明導電層；以及

圖案化該第二透明導電層，以形成位于該主動層上方的柵極以及位于該像素電極上方的共享電極。

12.根據權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于圖案化該第一透明導電層的步驟還包括形成數據線，且使該源極與該數據線電性連接。

13.根據權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于圖案化該第二透明導電層的步驟還包括形成掃描線，且使該柵極與該掃描線電性連接。

14.根據權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于該主動層的材質包括金屬氧化物半導體。

15.根據權利要求14所述的像素結構的制造方法，其特征在于該金屬氧化物半導體包括氧化銦鎵鋅、氧化錫、氧化鋁或其組合。

16.根據權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于其還包括：

在形成該第一透明導電層之前，于該基板上形成紫外光阻擋層，其中于該基板上形成該第一透明導電層的步驟為在該紫外光阻擋層上形成該第一透明導電層。

17.根據權利要求16所述的像素結構的制造方法，其特征在于該紫外光阻擋層的材質包括硅氧烷樹脂、丙烯酸樹脂或其組合。

18.根據權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于其還包括在該柵極、該共享電極及該絕緣層上形成保護層。

19.根據權利要求18所述的像素結構的制造方法，其特征在于形成該保護層的步驟包括：

在該柵極、該共享電極及該絕緣層上形成氧化物層；以及

在該氧化物層上形成氮化物層。

20.根據權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于形成該共享電極的方法包括：

圖案化該第二透明導電層以形成連接部以及多個間隔排列的條狀電極，并使該多個條狀電極與該連接部連接。