[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法無效
| 申請號: | 201310048165.1 | 申請日: | 2013-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN103247564A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 植田稔彥;古家高廣 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,在載物臺上載置被處理基板,對所述被處理基板實施規定的處理,該基板處理裝置的特征在于:
具備:能夠載置所述被處理基板的所述載物臺;能夠升降地設置于所述載物臺的周圍、在上升位置向所述載置臺的上方突出支承所述被處理基板的周緣部的多個支承銷;和使所述多個支承銷升降移動的支承銷升降機構,
在所述多個支承銷的上升位置,分別設置于所述載物臺的至少一對相對的邊側的所述多個支承銷,沿著所述載物臺的邊配置為支承位置的高度凹凸不同。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述多個支承銷具有高度相互不同的第一支承銷和第二支承銷,
所述第一支承銷和所述第二支承銷沿著所述載物臺的邊交替配置。
3.一種基板處理裝置,在載物臺上載置被處理基板,對所述被處理基板實施規定的處理,該基板處理裝置的特征在于:
具備:能夠載置所述被處理基板的所述載物臺;能夠升降地設置于所述載物臺的周圍、在上升位置向所述載置臺的上方突出支承所述被處理基板的周緣部的多個支承銷;和使所述多個支承銷分別升降移動、在上升位置在所述多個支承銷之間使支承位置的高度形成有高低差的支承銷高低差形成機構,
通過所述支承銷高低差形成機構在所述多個支承銷之間使上升距離具有差異,分別設置于所述載物臺的至少一對相對的邊側的所述多個支承銷,沿著所述載物臺的邊支承位置的高度凹凸不同。
4.如權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于:
在所述支承銷的上端設置有能夠吸附于所述被處理基板的吸附墊。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于:
具備與所述吸附墊連通的吸引機構。
6.如權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述支承銷設置為能夠從下方支承除了所述被處理基板的角部以外的該基板的周緣部。
7.如權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于:
在所述載物臺的周緣部設置有在載置所述被處理基板時支承該基板的周緣部的多個固定銷,
通過所述支承銷升降機構使支承有所述基板的所述多個支承銷下降移動,所述基板經由所述固定銷被載置于所述載物臺上。
8.一種基板處理方法,在載物臺上載置被處理基板,對所述被處理基板實施規定的處理,該基板處理方法的特征在于,執行如下步驟:
使多個支承銷以向所述載物臺的上方突出的方式上升移動的步驟,其中,所述多個支承銷能夠升降地設置于所述載物臺的周圍,在所述載物臺的至少一對相對的邊側沿著所述載物臺的邊配置為支承位置的高度凹凸不同;
利用所述多個支承銷從下方支承所述被處理基板的周緣部的步驟;和
使所述多個支承銷下降移動,將所述被處理基板載置于所述載物臺上的步驟。
9.如權利要求8所述的基板處理方法,其特征在于:
在利用所述多個支承銷從下方支承所述被處理基板的周緣部的步驟中,
利用設置于所述支承銷的上端的吸附墊吸附基板面。
10.如權利要求8或9所述的基板處理方法,其特征在于:
在利用所述多個支承銷從下方支承所述被處理基板的周緣部的步驟中,
利用沿所述載物臺的邊交替配置的、高度相互不同的所述第一支承銷和所述第二支承銷,從下方支承所述被處理基板的周緣部。
11.如權利要求8或9所述的基板處理方法,其特征在于:
在利用所述多個支承銷從下方支承所述被處理基板的周緣部的步驟中,
從下方支承除了所述被處理基板的角部以外的該基板的周緣部。
12.如權利要求8或9所述的基板處理方法,其特征在于:
在使所述多個支承銷下降移動,將所述被處理基板載置于所述載物臺上的步驟中,
利用設置于所述載置臺的周緣部的多個固定銷支承所述被處理基板的周緣部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





