[發(fā)明專利]基板及應(yīng)用其的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310048035.8
• 申請(qǐng)日: 2013-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN103165560A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝村隆;鄭宏祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/492
• 分類號(hào): H01L23/492
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種基板及應(yīng)用其的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種并非所有走線都連接到電鍍線的基板及應(yīng)用其的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)長條基板在單一化前通常會(huì)電鍍一接墊層于走線上，然后再進(jìn)行切割。然而，切割后，所有的走線都?xì)埩粲幸蛔鳛殡婂冞B接的線段，此些殘留線段導(dǎo)致線路信號(hào)損失增大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明有關(guān)于一種基板及應(yīng)用其的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可改善線路信號(hào)損失的問題。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，提出一種基板及應(yīng)用其的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。基板包括一基材、一電鍍線、m條走線及一凹陷部。基材具有一封裝單元區(qū)。電鍍線鄰近封裝單元區(qū)的邊緣設(shè)置。m條走線形成于此些封裝單元區(qū)內(nèi)，m條走線中的n條走線延伸至電鍍線，其中m為等于或大于2的正整數(shù)，而n選自于1到(m-1)的其中一數(shù)值。凹陷部電性隔離m條走線。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提出一種基板及應(yīng)用其的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一基板、一芯片及一電性連接件。基板包括一基材、m條走線及一凹陷部。基材具有一封裝單元區(qū)。m條走線形成于此些封裝單元區(qū)內(nèi)，m條走線中的n條走線延伸至電鍍線，其中m等于或大于2的正整數(shù)，而n選自于1到(m-1)的其中一數(shù)值。凹陷部電性隔離m條走線。芯片設(shè)于基板上。電性連接件電性連接芯片與m條走線。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖1B繪示圖1A沿方向1B-1B’的剖視圖。

圖1C繪示圖1A沿方向1C-1C’的剖視圖。

圖1D繪示圖1A沿方向1D-1D’的剖視圖。

圖2繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部俯視圖。

圖3繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部俯視圖。

圖4繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部俯視圖。

圖5A繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部俯視圖。

圖5B繪示圖5A中沿方向5B-5B’的剖視圖。

圖6繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖7繪示圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的信號(hào)測(cè)試圖。

圖8A至8E繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程圖。

主要元件符號(hào)說明：

100、200、300、400、500：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

110：基板

110u、111u、112u：上表面

111：基材

111b：下表面

111s：邊緣側(cè)面

112：走線群組

112e：走線延伸部

112p：接墊部

112t、112t’：走線

112v、112v’：導(dǎo)通孔

1121：走線段

113：凹陷部

114：連接線

115：電鍍線

120：芯片

120R：芯片設(shè)置區(qū)

120u：主動(dòng)面

130：電性連接件

140：封裝體

140R：封裝單元區(qū)

150：保護(hù)層

150a：開孔

C1、C2：曲線

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括基板110、芯片120、數(shù)個(gè)電性連接件130、封裝體140(圖1D)及保護(hù)層150。

基板110包括基材111(圖1B)、數(shù)個(gè)走線群組112及數(shù)個(gè)凹陷部113。基材111的材質(zhì)可選自于有機(jī)(organic)材料、陶瓷(ceramic)材料、硅基材或金屬。此外，基材111可以是單層或多層線路基材。

基材111具有邊緣側(cè)面111s。各走線群組112形成于基材111上且包括m條走線112t。本例的走線群組112的數(shù)量以四個(gè)為例說明，其分別鄰近于芯片120的四個(gè)側(cè)邊；然而，數(shù)個(gè)走線群組112亦可鄰近于芯片120的單個(gè)側(cè)邊。此外，走線群組112的數(shù)量亦可少于或多于四個(gè)。