[發明專利]用于降低紅外反射噪聲的重影的紅外反射/吸收層及使用其的圖像傳感器有效
| 申請號: | 201310047959.6 | 申請日: | 2013-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN103794614B | 公開(公告)日: | 2017-12-12 |
| 發明(設計)人: | 林蔚峰;錢葉安;范純圣 | 申請(專利權)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 降低 紅外 反射 噪聲 重影 吸收 使用 圖像傳感器 | ||
技術領域
本申請涉及圖像傳感器,特別是涉及能大幅減少或消除由紅外線(IR)輻射的反射所導致的重影(ghost image)的圖像傳感器。
背景技術
具有可見光及近紅外光(NIR)能力圖像傳感器已被使用于汽車用傳感器,在諸如駕駛輔助應用及安全應用的應用中,例如行人、障礙物及標志檢測、后視或倒車照相機應用等。這種傳感器可操作于雙模式下,其允許它們能在白天(可見光譜應用)及夜間視覺(紅外線應用)發揮雙重功能。此種新并入的紅外線能力通過擴張傳感器的光譜光靈敏度至大約1050nm(適應于750-1400nm的近紅外光范圍)的一些工藝水平來增強的發展及實施而變得可能。
此種雙模能力的一項缺點為在近紅外光范圍中的新靈敏度已經導致被建構的紅外線重影。在某些情況下,紅外輻射可被譬如通過圖像傳感器的重新分配層(RDL)反射,然后被圖像傳感器檢測。這產生進入圖像傳感器的噪聲,因此減少圖像傳感器的靈敏度。
發明內容
根據本發明第一實施方式,其提供了一種圖像傳感器,該圖像傳感器包括:一感光元件,用于接收紅外線(IR)輻射及檢測紅外輻射并產生一代表紅外輻射的電信號;一重新分配層(RDL)設置在感光元件之下,重新分配層包括一種圖案化的導體,用于接收電信號;一紅外反射層設置于感光元件與重新分配層之間,該紅外反射層反射紅外輻射的反射部分回到感光元件,以使紅外輻射的反射部分不會碰到重新分配層。
根據本發明另一實施方式,其提供了一種圖像傳感器,該圖像傳感器包括:一感光元件,用于接收紅外線(IR)輻射及檢測紅外輻射并產生一代表紅外輻射的電信號;一重新分配層(RDL)設置在感光元件之下,重新分配層包括一種圖案化的導體,用于接收電信號;一紅外吸收層設置于感光元件與重新分配層之間,該紅外吸收層吸收紅外輻射以使紅外輻射的主體部分不會碰到重新分配層。
根據本發明另一實施方式,其提供了一種圖像傳感器,該圖像傳感器包括:一感光元件,用于接收紅外線(IR)輻射及檢測紅外輻射并產生一代表紅外輻射的電信號;一重新分配層(RDL)設置在感光元件之下,重新分配層包括一種圖案化的導體,用于接收電信號:一絕緣層設置于感光元件與重新分配層之間,該絕緣層適合于吸收紅外輻射,以使紅外輻射的一主體部分不會碰到重新分配層。
根據本發明另一實施方式,其提供了一種圖像傳感器,該圖像傳感器包括:一感光元件,用于接收紅外線(IR)輻射及檢測紅外輻射并產生一代表紅外輻射的電信號;一重新分配層(RDL)設置在感光元件之下,重新分配層包括一種圖案化的導體,用于接收電信號;一紅外線阻障層設置于感光元件與重新分配層之間,該紅外線阻障層避免紅外輻射碰到重新分配層。
附圖說明
圖1包括一圖像傳感器的概要剖面圖例,其顯示紅外輻射的反射,可導致不被期望的重影的產生。
圖2A包括一清晰影像,亦即一對照影像,其中沒有形成重影。
圖2B包括一影像,其中形成一重影。
圖3包括一種可產生圖像傳感器的重新分配層的重影的圖像傳感器的概要剖面圖例。
圖4包括可產生圖像傳感器的重新分配層的重影的另一種圖像傳感器的概要剖面圖例。
圖5包括依據某些示范實施例的一種包括一紅外反射層的圖像傳感器的概要剖面圖。
圖6包括依據某些示范實施例的包括一紅外反射層的另一圖像傳感器的概要剖面圖。
圖7包括一表格,其提供關于說明于此的示范實施例的例子,于其中介電材料的多重透明性子層達成建設性反射。
圖8包括一圖,其顯示關于定義于圖7的表格的多層介電材料構造的隨著波長變化的反射百分比的分布圖。
圖9包括一圖,其顯示關于具有125.96nm的厚度的單一層的鋁的隨著波長變化的反射百分比的分布圖。
圖10包括一圖,其顯示關于具有64.72nm的厚度的單一層的鉻的隨著波長變化的反射百分比的分布圖。
圖11包括依據某些示范實施例的包括紅外吸收層的圖像傳感器裝置的概要剖面圖。
圖12包括依據某些示范實施例的包括紅外吸收層的另一圖像傳感器裝置的概要剖面圖。
圖13包括一圖,其顯示依據某些示范實施例的關于具有鉻-SiO2-鉻夾層結構的金屬-介電材料-金屬夾層吸收層的吸收率(%)對波長。
圖14包括一圖,其顯示依據某些示范實施例的關于具有鎳-SiO2-鎳夾層結構的金屬-介電材料-金屬夾層吸收層的吸收率(%)對波長。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





