[發明專利]用于降低紅外反射噪聲的重影的紅外反射/吸收層及使用其的圖像傳感器有效
| 申請號: | 201310047959.6 | 申請日: | 2013-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN103794614B | 公開(公告)日: | 2017-12-12 |
| 發明(設計)人: | 林蔚峰;錢葉安;范純圣 | 申請(專利權)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 降低 紅外 反射 噪聲 重影 吸收 使用 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,其包括:
感光層,其用于接收紅外輻射、檢測所述紅外輻射并產生代表所述紅外輻射的電信號;
重新分配層,其位于所述光層之下,所述重新分配層包括一種圖案化的導體,用于接收所述電信號;
多個導電焊墊,其位于所述重新分配層之下,每個導電襯墊電氣連接至所述圖案化的導體的導體;以及
紅外吸收層,其位于所述感光層與所述重新分配層之間,所述紅外吸收層吸收所述紅外輻射以使所述紅外輻射的主體部分不會碰到所述重新分配層。
2.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述紅外吸收層包括多層的不同材料。
3.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述紅外吸收層包括在復合的金屬-介電材料-金屬夾層結構中的多層材料,所述復合的金屬-介電材料-金屬夾層結構包括位于第一金屬層與第二金屬層之間的介電層。
4.如權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述第一金屬層與所述第二金屬層具有不同的厚度。
5.如權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述紅外輻射穿過所述第一金屬層,并利用在所述第一金屬層及所述第二金屬層之間的共振形成駐波。
6.如權利要求3所述的圖像傳感器,其中,金屬層及介電層的參數是如此選擇的,使得在所述紅外輻射穿過所述第一金屬層時,所述紅外輻射利用在所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的共振形成駐波。
7.如權利要求6所述的圖像傳感器,其中,所選擇的參數包括所述第一金屬層的材料類型、所述第二金屬層的材料類型、所述介電層的材料類型、所述第一金屬層厚度、所述第二金屬層厚度以及所述介電層厚度中的至少一個。
8.如權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述第一金屬層與所述第二金屬層中的至少一個包括鉻和鎳中的至少一種。
9.如權利要求3所述的圖像傳感器,其中,所述介電層包括SiO2。
10.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述紅外吸收層包括單一金屬層。
11.如權利要求10所述的圖像傳感器,其中,所述單一金屬層包括鉻和鎳中的至少一種。
12.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述紅外吸收層包括復合的三層構造。
13.如權利要求12所述的圖像傳感器,其中,所述復合的三層構造為SiO2-Cr2O3-SiO2三層構造、SiO2-TaN-SiO2三層構造以及Cr-CrOx-CrOxNy三層構造中的至少一種。
14.如權利要求1項所述的圖像傳感器,其中,所述紅外吸收層包括復合的雙層構造。
15.如權利要求14所述的圖像傳感器,其中,所述復合的雙層構造為Si3N4-TaN雙層構造以及SiC-SiO2雙層構造中的至少一種。
16.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述紅外吸收層包括單一的非金屬層。
17.如權利要求16所述的圖像傳感器,其中,所述單一的非金屬層包括Cr2O3、CrSiO、NixOy、碳黑以及黑色無機材料中的至少一種。
18.如權利要求1所述的圖像傳感器,其還包括在所述感光層上面的、用于吸收輻射的黑色光阻層。
19.如權利要求18所述的圖像傳感器,其中,所述黑色光阻層覆蓋所述感光層的無源區域。
20.如權利要求1所述的圖像傳感器,其還包括在所述感光層之下的、用于吸收輻射的黑色光阻層。
21.如權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述紅外輻射為波長范圍在900–1200nm的近紅外光。
22.如權利要求18所述的圖像傳感器,所述感光層包括由黑色光阻層覆蓋的多個外部畫素透鏡,第一多個畫素透鏡的部分在兩個外部畫素透鏡之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





