[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件的封裝方法及應(yīng)用其形成的半導(dǎo)體封裝件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310047921.9
• 申請(qǐng)日: 2013-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN103077901A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余政賢;陳奕廷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件的封裝方法及應(yīng)用其形成的半導(dǎo)體封裝件，且特別是有關(guān)于一種改善散熱問題的半導(dǎo)體封裝件的封裝方法及應(yīng)用其形成的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝件包含芯片及封裝體。為了保護(hù)芯片，封裝體通常包覆芯片的側(cè)面及上表面。然而，這樣完整的包覆反而不易散逸芯片的熱量。

此外，若芯片的上表面及側(cè)緣完全暴露于外界中雖具有較佳的散熱效果但容易造成芯片遇外力碰撞而損壞的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件，一實(shí)施例中，可改善已知的芯片散熱不佳的問題且可降低芯片遭受外界碰撞而損壞的風(fēng)險(xiǎn)。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件的封裝方法。半導(dǎo)體封裝件的封裝方法包括以下步驟。提供一上模及一下模，上模包括一可形變?cè)辉O(shè)置一基板及一芯片于下模，其中芯片設(shè)于基板上且位于可形變?cè)路讲⒕哂幸簧媳砻妫缓夏Ｏ履Ｅc上模而形成一模穴，使可形變?cè)D壓芯片而形成一環(huán)狀突部，環(huán)狀突部的一底面低于芯片的上表面，且下模與上模在合模后，模穴的一頂面對(duì)齊或高于芯片的上表面；以及，填充一封裝材料于上模與下模之間的模穴內(nèi)，其中封裝材料包覆芯片且覆蓋模穴的頂面。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一基板、一芯片及一封裝體。芯片具有一面對(duì)基板的一第一表面及一遠(yuǎn)離基板的一第二表面。封裝體包覆芯片且具有一凹槽及一上表面，封裝體的上表面高于或?qū)R于芯片的第二表面，其中凹槽與封裝體的上表面相連且露出芯片的第二表面，且凹槽的底面低于芯片的第二表面。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下∶

附圖說明

圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀圖。

圖1B繪示圖1A中沿方向1B-1B’的剖視圖。

圖2繪示圖1B的測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的示意圖。

圖3A至3C繪示圖1B的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

主要元件符號(hào)說明：

100：半導(dǎo)體封裝件

110：基板

110u、130u：上表面

120：芯片

120b：第一表面

120u：第二表面

120s：側(cè)面

121、140：電性接點(diǎn)

130：封裝體

130’：封裝材料

130b、221b、2131b：底面

130r：凹槽

130r1：第一子凹槽

130r2：第二子凹槽

130s：內(nèi)側(cè)面

150：壓板

160：測(cè)試針腳

210：上模

211：上模體

212：中板

212r、221r：凹部

213：可形變?cè)?/p>

213s1：外側(cè)

213s2：內(nèi)側(cè)

2131：環(huán)形突部

220：下模

221：下模體

222：承載板

230r：模穴

230u、212u：頂面

2131：環(huán)狀突部

D1、D2：內(nèi)徑

H1、H2、H3、H4、H5：距離

P：壓縮厚度

S：模流空間

T1、T2：厚度

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀圖。半導(dǎo)體封裝件100包括基板110、芯片120、封裝體130及至少一電性接點(diǎn)140。

基板110可以是有機(jī)(organic)基板、陶瓷(ceramic)基板110、硅基板、金屬載板或中介層基板。此外，基板110可以是單層或多層線路基板。

請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其繪示圖1A中沿方向1B-1B’的剖視圖。芯片120以其主動(dòng)面(例如是芯片120的面向基板110的第一表面120b)朝下方位設(shè)于基板110的上表面110u上，并通過至少一電性接點(diǎn)121電性連接于基板110，此種芯片120稱為覆晶(flip?chip)。電性接點(diǎn)121例如凸塊、焊球或?qū)щ娭?/p>

封裝體130包覆芯片120的側(cè)面120s且具有凹槽130r。凹槽130r露出芯片120的遠(yuǎn)離基板110的第二表面120u。本例中，凹槽130r露出芯片120的整個(gè)第二表面120u，藉以提供最大露出面積，以快速把芯片120的熱量逸散至半導(dǎo)體封裝件100外。