[發明專利]半導體制造裝置以及半導體制造裝置的控制方法

有效

• 申請號: 201310047606.6
• 申請日: 2013-02-06
• 公開（公告）號: CN103311150A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 田中陽子;大井浩之;酒井茂
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及半導體制造裝置以及半導體制造裝置的控制方法。

背景技術

近年來，為了實現IGBT（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor：絕緣柵雙極型晶體管）的高性能化和低成本化，半導體晶片的薄型化加快。例如，為了實現IGBT的高性能化和低成本化，必須使半導體晶片的厚度變薄直至成為50μm～100μm左右、或者其以下的厚度。

作為元件厚度薄的半導體裝置的制造方法，提出了以下的方法。在半導體晶片的表面形成器件構造后，對半導體晶片的背面進行背面研磨和硅蝕刻直至成為規定的厚度。接著，對形成于半導體晶片的表面的每個器件構造進行切割，將半導體晶片切斷成各個半導體芯片。

另外，作為元件厚度薄的半導體裝置的其他的制造方法，提出了以下的方法。在半導體晶片的表面形成器件構造后，沿著切割線，在半導體晶片的表面例如形成比半導體裝置完成后的規定厚度深的槽。接著，進行半導體晶片背面的背面研磨和硅蝕刻，使半導體晶片變薄直至成為規定的厚度，由此，根據形成于表面的槽，半導體晶片被切斷成各個半導體芯片。

作為制造元件厚度薄的半導體裝置的其他的方法，還提出了以下的方法。在半導體晶片的表面形成器件構造后，進行半導體晶片背面的背面研磨和硅蝕刻，由此，在比半導體晶片的直徑窄的范圍僅使半導體晶片的中央部變薄，保留半導體晶片的外周部（以下稱作肋部）。然后，在照原樣保留半導體晶片的肋部的情況下、或者在除去肋部后進行切割，將半導體晶片切斷成各個半導體芯片。

像這樣在切割半導體晶片時，為了避免因切割而分離的半導體芯片飛散等問題，例如，眾所周知的方法是在半導體晶片的背面粘貼切割片等粘接片并進行切割。在半導體晶片的背面粘貼粘接片并進行切割后，向用于拾取半導體芯片的拾取裝置中投入粘貼并固定于粘接片的狀態的半導體芯片，從粘接片拾取并分離成各個半導體芯片。

作為從粘接片拾取半導體芯片的方法，提出了以下的方法。例如通過針將半導體芯片從粘貼有粘接片的背面側向上方托起，由此，減少半導體芯片與粘接片的接觸面積。對于通過針被向上方托起的半導體芯片，通過夾頭等吸引半導體芯片上表面，由此半導體芯片從粘接片被拾取并被搬送至搭載半導體芯片的下墊板等。但是，在半導體芯片薄型化的情況下，因針的托起，有可能導致半導體芯片的背面損傷或半導體芯片破損。

為了解決這樣的問題，作為不進行針的托起的方法，提出了以下的方法。固定夾具包括：在單面上具有多個突起物和側壁的夾具基臺；和與在具有夾具基臺的突起物的面上層疊且與側壁的上表面粘接的緊貼層。在具有夾具基臺的突起物的面，由緊貼層、突起物和側壁形成分區空間，通過貫通孔與真空源連接。經由貫通孔來吸引分區空間內的空氣從而使緊貼層變形，并且吸附夾頭從芯片的上表面一側吸引芯片，從緊貼層拾取芯片（例如，參照下述專利文獻1）。

另外，作為其他的方法，提出了以下的方法。載置臺具有：以覆蓋與芯片狀零件相對的區域的方式分布的多個吸引槽；和位于這些吸引槽之間且以在至少兩處與各個芯片狀零件局部相對的方式設置的突起，通過在該載置臺上載置保持片，并向吸引槽施加負壓，使保持片沿著突起變形，在要從芯片狀零件剝離時，首先進一步增強被施加于與芯片狀零件的周邊部相對的吸引槽的負壓，將保持片從芯片狀零件的周邊部剝離（例如，參照下述專利文獻2）。

另外，作為其他的方法，提出了以下的方法。在隔著吸附臺的切割用帶載置半導體芯片的背面側的面設置有：吸附面，在其上表面以分別垂直地立起的方式設置有呈凹狀且大致呈半球形狀的相同高度的多個突起；和側壁，其位于吸附面的外周部的整個周圍，其寬度在0.4mm以下、且高度與突起的高度相同或者與突起的高度之差未滿1mm。并且，從在突起彼此之間的谷部、突起的側面、或兩者的至少一個以上設置的吸附孔吸附切割用帶，將其吸引到突起，通過夾頭從半導體芯片的表面一側拾取半導體芯片。從吸附孔吸附切割用帶時，使得切割用帶在切割用帶的彈性的范圍內略微陷入吸附臺的側壁與吸附面之間（例如，參照下述專利文獻3）。

另外，作為避免對半導體芯片造成損傷等的拾取裝置，提出了以下的裝置。晶片載置臺包括：在頂部隔著粘接片保持IC芯片的下表面的多個突起；形成于多個突起的谷部的吸引槽；和真空裝置，其經由連接管與該吸引槽連接，利用在吸引槽中產生吸引力，將粘接片從IC芯片上剝離并吸附在突起的谷部（例如，參照下述專利文獻4）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008－103493號公報

專利文獻2：日本特開平11－54594號公報