[發明專利]半導體制造裝置以及半導體制造裝置的控制方法有效
| 申請號: | 201310047606.6 | 申請日: | 2013-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN103311150A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 田中陽子;大井浩之;酒井茂 | 申請(專利權)人: | 富士電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 制造 裝置 以及 控制 方法 | ||
1.一種半導體制造裝置,其特征在于:
其是從粘接片拾取通過切割而被切斷的半導體芯片的半導體制造裝置,
所述半導體制造裝置包括:
載置所述半導體芯片的載置臺;
在所述載置臺的載置所述半導體芯片的面設置的槽;
由所述槽的開口部一側的端部形成且隔著粘接片保持所述半導體芯片的頂點部;
設置于所述載置臺且與所述槽連結的至少一個通氣孔;
經由所述通氣孔對由所述粘接片和設置于所述載置臺的所述槽圍成的空間進行減壓的減壓單元,其中,所述粘接片粘貼在載置于所述載置臺的所述半導體芯片的所述載置臺一側的面;
吸引單元,其通過吸引而拾取由所述減壓單元對所述空間進行減壓而被保持在所述頂點部的所述半導體芯片;和
接觸防止板,其以隔開規定間隔的方式配置在所述載置臺的上方,在由所述減壓單元對所述空間進行減壓時防止所述半導體芯片彼此接觸。
2.如權利要求1所述的半導體制造裝置,其特征在于:
所述半導體制造裝置還包括移動單元,所述移動單元在由所述減壓單元對所述空間進行減壓之前,將所述接觸防止板移動至所述載置臺的上方,在由所述吸引單元開始拾取所述半導體芯片之前,將所述接觸防止板移動至不妨礙所述吸引單元的動作的位置。
3.如權利要求1或2所述的半導體制造裝置,其特征在于:
在載置有通過切割而被切斷的矩形狀的所述半導體芯片的所述載置臺的上方,以隔開滿足下述公式(1)的規定間隔x的方式配置所述接觸防止板,其中,所述半導體芯片的一邊長度為a,所述半導體芯片的厚度為b,相鄰的所述半導體芯片之間的間隔為c,
4.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體制造裝置,其特征在于:
所述接觸防止板與載置于所述載置臺的所有所述半導體芯片的主面相對。
5.一種半導體制造裝置的控制方法,其特征在于:
其是從粘接片拾取通過切割而被切斷的半導體芯片的半導體制造裝置的控制方法,
所述半導體制造裝置的控制方法包括:
載置工序,將所述半導體芯片以粘貼有所述粘接片的一側的面朝向載置臺一側的方式載置于所述載置臺的設置有槽的面;
減壓工序,對由所述槽和所述粘接片圍成的空間進行減壓,使所述半導體芯片保持在由所述槽的開口部一側的端部形成的頂點部;和
吸引工序,利用吸引單元吸引并拾取被保持在所述頂點部的所述半導體芯片,
在所述減壓工序中,通過以隔開規定間隔的方式配置在所述載置臺的上方的接觸防止板,來防止所述半導體芯片彼此接觸。
6.如權利要求5所述的半導體制造裝置的控制方法,其特征在于,包括:
第一移動工序,在所述減壓工序之前,將所述接觸防止板移動至所述載置臺的上方,
第二移動工序,在所述載置工序之后所述吸引工序之前,將所述接觸防止板移動至不妨礙所述吸引單元的動作的位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





